Затворы транзисторов с переходом из сегнетоэлектриков можно будет использовать как энергонезависимую память и ожидать от процессоров на таких транзисторах мгновенного включения.
Сайт EE Times рассказал об одном из направлений в развитии полупроводников, которое может продлить действие так называемого закона Мура, что в современной интерпретации оного означает продолжение лавинообразного увеличения числа транзисторов на кристалле. Традиционные техпроцессы с использованием кремния в качестве основного материала для каналов и затворов транзисторов можно уменьшить до технологических норм порядка 3 нм.
Чтобы создать электронный прибор с меньшими нормами производства потребуются другие материалы. Группа International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), разрабатывающая долгосрочные планы развития отрасли, ожидает увидеть в качестве каналов транзисторов германий (Ge) или арсенид галлия (GaAs). Что принципиально важно, эти материалы можно совместить с производством на традиционных кремниевых пластинах. Как вариант для затворов транзисторов с германиевым каналом рассматриваются материалы, имеющие свойства сегнетоэлектриков.
 |
Модель полевого транзистора с затвором из сегнетоэлектрика над каналом из германия
Ключевым свойством сегнетоэлектриков является возможность хранить информацию (заряд) без поддержки питания. Иными словами, затворы транзисторов с переходом из сегнетоэлектриков можно будет использовать как энергонезависимую память и ожидать от процессоров на таких транзисторах мгновенного включения. Пока работы ведутся в виде изучения компьютерной модели FeFET транзистора (ferroelectric field-effect transistor), и создаются условия для изучения сегнетоэлектрических эффектов материалов в лабораторных условиях. В частности учёные работают с титанатом бария (BaTiO3), определённые рабочие характеристики которого проявляются при нагреве до 120 градусов Цельсия.
Источники: EE Times, Ф-Центр