Япония инвестирует в ИС на базе GaN-на-кремнии


Начинающая компания Transphorm, специализирующаяся на силовых GaN-микросхемах на кремниевой подложке, заявила о закрытии очередного раунда финансирования Series E на сумму в 35 млн долл. Этот раунд финансирования осуществлялся под руководством компаний Innovation Network Corp. of Japan (INCJ) и Nihon Inter Electronics Co. (NIEC).

Transphorm пытается организовать производство высоковольтных силовых ИС, изготавливаемых по технологии GaN-на-кремнии. Эти микросхемы имеют более высокую энергоэффективность по сравнению с изделиями, изготовленными по другим технологиям и предназначенными для источников питания, инверторов для солнечных панелей и электромобилей.

Инвестиционная емкость государственного фонда INCJ с участием капитала 27 основных корпораций страны, включая компании Sharp, Sumitomo Electric, Toshiba и General Electric Japan, составляет около 25 млрд долл. Корпорация NIEC не только инвестировала в компанию Transphorm, но и заключила с ней соглашение о поставках продукции Transphorm.

Среди инвесторов Transphorm – компании Kleiner Perkins Caufield & Byers, Foundation Capital, Google Ventures, Quantum Strategic Partners, Lux Capital и Bright Capital. Общая сумма инвестиций, полученная Transphorm с момента ее образования в 2007 г., составляет 104 млн долл.

По словам Примита Париха (Primit Parikh), президента компании Transphorm, участие в ее деятельности корпорация NIEC позволит расширить каналы сбыта и улучшить условия обслуживания заказчиков Transphorm.

Эта компания включена в список стартапов Silicon 60 по версии 13.0 издания EE Times, попав в него в апреле 2011 г.

Источник: EE Times

Читайте также:
Japan Inc. хочет помешать поглощению Renesas компанией KKR
Plessey приобретает технологию производства мощных светодиодов
Три крупнейших японских производителя кристаллов объединятся в одну компанию

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *