В Сингапуре откроется центр передовых технологий корпусирования 3D-кристаллов


Компания Applied Materials и Институт микроэлектроники (Institute of Microelectronics, IME) открыли совместный Центр (Centre of Excellence in Advanced Packaging, CEAP) для разработки передовых технологий корпусирования объемных кристаллов.

Совместные инвестиции Applied Materials и IME объемом более 100 млн долл. пойдут на создание чистой комнаты класса 10 и площадью 14 тыс. кв.м в Сингапурском научном парке II. Центр оснащен полностью интегрированной 300-мм производственной линией, построенной для научных исследований и разработки технологий корпусирования объемных кристаллов.

Этот центр станет самой передовой лабораторией в своем роде, специализирующейся на корпусировании объемных кристаллов на уровне пластин. Компания Applied Materials оснастит лабораторию оборудованием и технологическим процессом, тогда как Институт микроэлектроники предоставит исследовательские ресурсы.

Корпусирование 3D-кристаллов станет новым этапом развития полупроводниковой индустрии, когда производство кристаллов с малым потреблением будет осуществляться в корпусах меньшего размера, а полоса пропускания данных станет шире, что приведет к дальнейшему совершенствованию мобильных устройств.

Традиционно кристаллы соединяются с корпусами по их краям с помощью проволоки. Такой подход ограничивает возможное количество соединений кристалла, а достаточно длинные проволочные соединения приводят к большим задержкам на распространение сигнала и уменьшают энергоэффективность.

Межсоединение кристаллов в многоярусном 3D-корпусе осуществляется с помощью технологии TSV (Through-Silicon Vias – сквозные межсоединения в кремнии). Ожидается, что благодаря размещению кристаллов памяти на кристаллах логики размер корпуса уменьшится на 35%, энергопотребление снизится на 50%, а полоса пропускания данных увеличится более чем в 8 раз.

Корпусирование 3D-кристаллов – новый виток в развитии электроники

Источник: Electronics news

Читайте также:
Наступает время 3D-кристаллов
Стартовали инициативы GSA по созданию 3D-кристаллов и MEMS
Новый альянс по производству 3D-кристаллов
TSMC в одиночку займется производством 3D-микросхем
TSMC предложит сборку 3D-микросхем в начале 2013 г.
TSMC может опередить Intel в производстве 3D-кристаллов
Российская микроэлектроника 2011/2012: итоги и прогнозы

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *