Оборудование разработал «Зеленоградский нанотехнологический центр» в кооперации с белорусским «Планар».
По информации Cnews, АО «Зеленоградский нанотехнологический центр» (ЗНТЦ) завершил третий этап опытно-конструкторских работ по созданию фотолитографической установки с проектными нормами 130 нм. Акт сдачи-приемки этапа подписан 7 августа 2026 г.
Оборудование предназначено для проекционного переноса изображения топологического рисунка интегральных схем на полупроводниковые пластины диаметром до 200 мм и мультипликации его на пластине при изготовлении сверхбольших интегральных схем (СБИС) с проектной топологической нормой 130 нм.
В рамках работ изготовлены два опытных образца эксимерного лазера с длиной волны 193 нм. Также изготовлены фотошаблоны, тестовые структуры, стенд для измерения и контроля фотолитографических и аберрационных характеристик объективов на рабочих длинах волн, отработаны базовые технологические процессы.
Работы сданы с опозданием. По графику третий этап ЗНТЦ должен был сдать в марте 2026 г., но фактически сдал в августе. На установке отработаны базовые технологические процессы.