В ASML считают, что использование EUV-сканеров будет целесообразно применительно к техпроцессу 7 нм


В отличие от Intel, компания ASML полагает, что переход на EUV-сканеры будет экономически оправданным уже на этапе производства 7-нм решений.

Ранее уже стали известны взгляды компании Intel на перспективы производства полупроводников по технормам 10 и 7 нм. Относительно 10-нм техпроцесса высказал мнение исполнительный директор компании, относительно техпроцесса 7 нм – один из ведущих разработчиков Intel. В результате стало понятно, что компания планирует отсрочить переход к использованию EUV-сканеров с длиной волны 13 нм как минимум до 2020 г., когда начнется внедрение 5-нм техпроцесса.

При этом руководство ASML, ведущей компании по производству проекционного литографического оборудования, полагает, что переход на EUV-сканеры будет оправданным уже на этапе производства 7-нм решений.

Как полагают специалисты ASML, для ряда критических слоев при производстве 7-нм полупроводников на используемом сегодня оборудовании может понадобиться до 13 фотошаблонов. Напомним: для 10-нм производства Intel для критически важных слоев собирается использоваться 4 фотошаблона. Следовательно, если при помощи 197-нм сканеров осваивать 10-нм производство еще целесообразно экономически, то производство 7-нм решений с использованием 13 проекций – весьма расточительное занятие. Цена EUV-сканера составит при этом порядка 100–120 млн долл., тогда как цена современного 197-нм сканера составляет примерно 70 млн. долл. Разница в цене, полагают в ASML, при массовом производстве полупроводников следующего поколения будет достаточно быстро нивелирована. При этом в компании умалчивают, что для перехода к использованию новых сканеров потребуется если не строить новые предприятия со своей инфраструктурой, то, по крайней мере, подвергнуть значительной модернизации старую инфраструктуру, а это тоже несет серьезные затраты. Согласно оценкам наблюдателей, разница в стоимости заводов со старыми и новыми сканерами составит от 2,5 до 3,5 раз.

Компания ASML до конца года собирается подготовить предсерийный образец EUV-сканера 3350B с 80-Вт излучателем. Это в два раза превышает показатели предыдущих опытных EUV-сканеров. В течение следующего года клиенты ASML будут проводить квалификационные тесты нового оборудования. На данный момент скорость производства может достигать 800 пластин в сутки. Но оптическая система будет совершенствоваться, как и сопутствующее ПО, поэтому ожидается, что скорость проекции увеличится до коммерчески рентабельного значения, достигнув 1000 пластин в сутки. Иначе говоря, производство с применением EUV-сканеров должно стать рентабельным ориентировочно в 2016–2017 гг.

При этом речь может идти только об отдельных работающих машинах в указанный период. О полномасштабных предприятиях на базе EUV-оборудования говорить пока что рано. Скорее всего, появление таких фабрик следует ожидать лишь в следующем десятилетии.

Читайте также:
Intel планирует осваивать 7-нм техпроцесс без EUV-литографии
Intel не будет использовать EUV-сканеры для производства 10-нм процессоров
В начале осени Intel может показать 10-нм чипы SRAM
Intel видит техническую возможность производства 10-нм кристаллов
Для 10-нм чипов может потребоваться четырехкратное экспонирование
Intel Israel лоббирует размещение 10-нм техпроцесса в Израиле
Intel начнет выпуск ЦП по технологии 10 нм совсем скоро – в 2016 г.
Intel: ситуация с технормой около 7 нм становится туманной

Источник: EE Times

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *