В 2018 г. появятся SSD, выдерживающие до 100 млн циклов перезаписи

Университет Tsukuba совместно с разработчиками группы Low-power Electronics Association & Project (LEAP) на проходящем сейчас в США мероприятии IEDM 2013 представили новые материалы для производства памяти на основе изменения фазового состояния вещества.

Сегодня в памяти подобного типа используются принципы записи информации, сходные с перезаписью на оптических дисках. Состояние ячейки памяти меняется под воздействием локального нагрева с аморфного на кристаллическое и обратно. Что соответствует записи одного бита информации.

В настоящее время производители выпускают память с изменением фазового состояния вещества на основе тонкопленочных структур, в которых комбинируются такие материалы, как германий, сурьма и теллур (GeSbTe).

Представленные опытные тонкоплёночные структуры имеют формулу GeTe/Sb2Te3 и предполагают другой подход для записи информации в ячейки. Вместо изменения кристаллической структуры запись бита информации происходит за счёт управляемой миграции ионов германия в записывающий слой.

Замена плёнки «традиционного» типа на плёнку со сверхрешёткой (superlattice) даст возможность увеличить число циклов стирания ячейки до 100 млн. При этом отказ от использования нагрева для операций записи сократит потребление тока более чем на 90%, а также ускорит сам процесс записи/перезаписи.

Разработчики предполагают, что выход памяти нового типа на рынок возможен в период с 2018 по 2020 гг. К этому времени они научатся производить устойчивые тонкоплёночные структуры из новых материалов и смогут предложить быстрые чипы для использования в накопителях SSD вместо памяти NAND-флеш (применяемой сейчас в SSD), подверженной быстрому износу.

Источник: Techon

Оставьте отзывОтмена