Yole Developpement сообщает, что в прошлом году доля карбида кремния (SiC) в доходах компаний выросла на 38% до 75 млн долл., и уже 30 компаний имеют возможность производить карбид-кремниевые устройства на своем оборудовании.
Четыре компании были созданы как карбид-кремниевые фаундри: Fraunhofer, Ascatron, ISB и Raytheon.
В прошлом году четыре компании агрессивно нарастили объем производства – Rohm, ST, GeneSIC и MicroSemi, – стараясь сократить отставание от лидеров рынка – Infineon и Cree.
В Японии Toshiba, Panasonic, Toshiba, Fuji Electric и Mitsubishi показали себя как вероятные соперники на рынке карбид-кремниевых устройств.
Стартапы из США – Global Power Devices и USCi – вышли на поверхность из режима невидимости.
Yole полагает, что рынок карбида кремния теперь будет двигаться от дискретных устройств к производству силовых модулей.
Рост рынка карбида кремния в будущем будет зависеть от того, буду ли нужны автомобильной промышленности высокочастотные и высокотемпературные технологии. «Если это произойдет, то в 2020 г. рынок карбид-кремниевых модулей может достичь стоимости 800 млн долл.», – сообщает Yole.
Наибольшее применение карбид кремния получил в инверторах для фотоэлементов, но большинство производителей силовых модулей включили карбид кремния в свои планы.
Читайте также:
Toshiba занялась карбидом кремния для силовой электроники
Карбидо-кремниевые пластины для силовой электроники
Fairchild покупает поставщика SiC-транзисторов
Карбид-кремниевый MOSFET бросает вызов IGBT
Перспективы рынка силовых устройств на основе технологии GaN-on-Si
Рынок силовой GaN-электроники ждут большие перемены
IMS Research: в 2013 г. спрос на источники питания будет стимулировать рост рынка полупроводников
IMS Research: в ближайшие 5 лет рынок дискретной силовой электроники вырастет в 4 раза
Источник: Electronics Weekly