Отдел лицензирования технологий Университета Нью-Мехико подал 15-го ноября иск в федеральный суд, в котором корпорация Intel обвиняется в нарушении патента этого университета на изобретение технологии двойного шаблона.
В июне этого года организация UNM.STC, представляющая собой отдел лицензирования при Университете Нью-Мехико, подала аналогичные иски против компаний TSMC и Samsung Electronics Co. в Комиссию по международной торговле США. Лиза Кууттила (Lisa Kuuttila), президент и исполнительный директор STC, заявила, что иски были поданы вслед за тем, как TSMC и Samsung согласились приобрести лицензию на эту технологию. По сообщению STC, компании Renesas Electronics Inc., Hynix Semiconductor Inc. и Toshiba Corp. также выплачивают лицензионные отчисления этой организации.
Кууттила отказалась сообщить более подробную информацию о лицензионных соглашениях, включая размеры отчислений. Кууттила также отказалась назвать, против каких других полупроводниковых компаний STC намеревается подать аналогичные иски.
Кууттила сказала, что Университет Нью-Мехико надеется украсить список производителей полупроводников крупнейшей компанией отрасли. «Произойдет настоящая сенсация, когда Intel станет нашим лицензиатом», – считает Кууттила.
Производители полупроводников используют метод двойного шаблона для компенсации сужения ширины линий и размытия изображения, начиная с появления технологии 32 нм. Существует несколько различных методов двойного шаблона. Неизвестно, все ли из них заявлены в патенте на эту технологию литографии.
В 2000 г. Университет Нью-Мехико получил патент США № 6,042,998 под названием Extending Spatial Frequencies in Photolithography Images («Метод и инструментальные средства увеличения пространственной частоты в фотолитографических изображениях»). Эта технология была разработана несколькими исследователями университета, в т.ч. Стивеном Брюком (Steven R. J. Brueck), директором центра исследований высокотехнологичных материалов.
Источник: EETimes