Тайваньская фаундри-компания UMC заключила лицензионное соглашение с IBM, позволяющее ей ускорить разработку собственного 20-нм КМОП-процесса, включая 3D FinFET-транзисторы.
Сделка UMC не означает присоединения этой фаундри к возглавляемому IBM технологическому альянсу Common Process Platform, в который входят компании Globalfoundries и Samsung Electronics Co., и распространяется только на 20-нм технологии FinFET.
 |
По словам представителя UMC, не сообщившего о финансовых деталях лицензионного соглашения, эта сделка позволит UMC сэкономить значительные средства, которые потребовались бы ей на самостоятельную разработку 20-нм FinFET-технологии. После ее освоения она будет предлагаться как собственный процесс UMC, поскольку эта компания уже частично его освоила.
Разработанный UMC 20-нм планарный техпроцесс будет отлажен в соответствии с правилами проектирования IBM, тогда как собственная FinFET-технология UMC будет предлагаться заказчикам в качестве опции, улучшающей показатели энергопотребления мобильных устройств. Реализация такого варианта технологии не входит в планы ни TSMC, ни Globalfoundries. Если UMC сможет своевременно предложить новый вариант энергосберегающей технологии FinFET, он окажется главным отличительным и очень востребованным преимуществом этой компании по сравнению с другими фаундри. В результате UMC получит больше заказов от ведущих клиентов фаундри-компаний.
 |
FinFET представляют собой объемные многозатворные транзисторы с каналами в виде «плавников». В настоящее время 22-нм устройства на базе этих транзисторов изготавливает корпорация Intel. Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., самый крупный конкурент UMC в фаундри-бизнесе, не планирует использовать FinFET-транзисторы на проектной норме 14 нм.
Усилия UMC свидетельствуют о ее стремлении сдержать рост конкурента в лице TSMC, которая недавно увеличила технологический отрыв от UMC. Кроме того, компания Globalfoundries потеснила UMC со второй строки рейтинга по результатам продаж.
И TSMC, и Globalfoundries в настоящее время разрабатывают 14-нм технологию FinFET, которую планируют полностью освоить в 2014 или 2015 г. Некоторые наиболее развитые компании, к числу которых относится и Nvidia, заявили о том, что уже готовы разместить у фаундри заказы на изготовление продукции по новейшим технологиям FinFET. Возможно, TSMC и Globalfoundries придется скорректировать свои планы, чтобы идти в ногу с потребностями рынка.
На прошлой неделе представитель Globalfoundries заявил о том, что его компания приступила к оценке возможностей производства в 2013 г. по технологии полностью обедненного кремния-на-изоляторе для тех компаний, которые готовы улучшить параметры своих устройств.
Intel уже производит кристаллы по технологии FinFET, или технологии трехзатворных транзисторов, по норме 22 нм. Ведущие фаблесс-компании надеются снизить потребление выпускаемых изделий, созданных с помощью этой технологии. Intel официально сообщила о том, что изготавливает кристаллы по 22-нм 3D-процессу для нескольких небольших компаний. Intel также работает по фаблесс-модели для нескольких других фирм и достаточно большого количества фаблесс-поставщиков.
В то же время стало известно о том, что в IV кв. текущего года UMC займется выпуском 28-нм процессоров Snapdragon S4 для Qualcomm. Ожидается, что UMC ежемесячно будет выпускать для Qualcomm 3–3,5 тыс. пластин, что составляет 20–30% от числа всех заказов, которые Qualcomm разместила на TSMC в IV кв.
На брифинге в Сан-Диего Пол Якобс (Paul Jacobs), глава Qualcomm, заявил о том, что не исключает возможности приобретения небольшого предприятия или сотрудничества с контрактными производителями, чтобы полностью и своевременно обеспечить поставки заказанных компонентов.
Известно, что TSMC не смогла в полном объеме выполнить заказы двух основных клиентов – Qualcomm и Nokia – на 28-нм кристаллы, после чего обе компании приступили к поиску другого производителя.
Ожидается, что TSMC наладит поставки 28-нм полупроводников в IV кв. 2012 г., а в I кв. 2013 г. выйдет на плановые мощности.
Источники: DigiTimes, EE Times
Читайте также:
Саммит альянса Common Platform: рынок мобильной и беспроводной связи и переход на 20 нм
Глава Nokia обнародовал 5-этапный план действий
Qualcomm и Samsung создали Альянс беспроводного электропитания A4WP
Qualcomm выпустит 28-нм чипсет Snapdragon
Производительность завтрашних систем
ST и IBM попытаются сократить отставание от Intel
У фаундри – проблемы с выходом годных изделий на 28 нм
Институт IMEC установил превосходство FinFET-технологии
Темпы освоения новых топологических норм замедляются
22-нм технология FinFET от Intel: официальные и неофициальные подробности