УФ лазер для быстрого скрайбирования полупроводниковых пластин


Компания Coherent предлагает ультрафиолетовый (УФ) импульсный лазер AVIA 355-23-250 мощностью 8 Вт с длиной волны излучения 355 нм и частотой повторения импульсов 250 кГц.

Лазер оптимизирован для использования в установках скрайбирования (разделения) полупроводниковых пластин на отдельные кристаллы.

Функция PulseEQ™ позволяет поддерживать энергию излучения на уровне, достаточном для аккуратного скрайбирования тонких (до 10 мкм) пластин с эпитаксиальным слоем.. При малой частоте повторения импульсов максимальная величина энергии может достигать 80 мДж.

Лазер может работать в режимах PulseEQ™, ThermEQ™ и PosiLock™, которые позволяют быстро изменять частоту следования импульсов и их энергию, с высоким качеством (M2<1.3), поддерживать стабильный уровень энергии в импульсах (шум < 5% rms на частоте 70 кГц) и диаметр точки.

AVIA 355-23-250 может быть использован для создания переходных микроотверстий в пластинах, скрайбирования пластин с low-k, разделения тонких кристаллов памяти, создания отверстий в печатных платах, обработки солнечных элементов и тонких пленок.

Дополнительная информация здесь

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *