Компании Qimonda и Elpida совместно разработают схемы памяти DRAM 20.11.200804.03.2020 Память Новости Компании подписали Меморандум о взаимопонимании и станут [[партнерами в разработке чипов DRAM.]]
STMicroelectronics и Intel завершают создание совместного предприятия по производству памяти 20.11.200804.03.2020 Память Новости По данным EE Times Europe, корпорация Intel и компания ST Microelectronics NV в ближайшее время подпишут соглашение об объединении прежнего NOR и современного NAND флэш бизнеса и создании на их основе совместного предприятия Numonyx B.V.
Hynix будет использовать технологию STT-RAM от Grandis 20.11.200804.03.2020 Память Новости Компании Hynix Semiconductor и Grandis заключили лицензионное соглашение по использованию объектов интеллектуальной собственности Grandis в микросхемах памяти Hynix. В частности, соглашение касается [[технологии STT-RAM]] (spin-transfer torque random access memory).
Микросхемы DDR2 DRAM с наивысшей емкостью и низким энергопотреблением от Samsung 20.11.200804.03.2020 Память Новости Компания Samsung Semiconductor запустила в массовое производство [[микросхемы DDR2 DRAM с наивысшей информационной емкостью]] и наименьшим потреблением энергии для применения в серверах.
Компания STMicroelectronics завершила формирование семейства последовательной памяти EEPROM 20.11.200804.03.2020 Память Новости STMicroelectronics предлагает [[полный комплект последовательной памяти EEPROM]] емкостью от 2 до 128 Кбит с интерфейсами I2C и SPI в корпусах MLP.
Honeywell представила радиационностойкие ASIC и память 20.11.200804.03.2020 Память Новости Представитель компании Honeywell International, выступая с докладом на Национальном космическом симпозиуме (24th National Space Symposium, 7-10 апреля 2008, Колорадо-Спрингс) представил разработанные микроэлектронной группой компании [[радиационностойкие ASIC HX5000]] и схемы памяти.
IBM пытается заново изобрести память 20.11.200804.03.2020 Память Новости Корпорация IBM разрабатывает новый тип памяти, в которой данные хранятся не в ячейках, а в намагниченных U-образных нанопроводниках, расположенных перпендикулярно к плоскости чипа.
Евросоюз повышает пошлины на DRAM фирмы Hylix 20.11.200804.03.2020 Память Новости Совет Европы принял решение повысить компенсационные пошлины на корейские DRAM.
FM25H20 – первая 2 Мбит FRAM в корпусе TDFN 20.11.200804.03.2020 Память Новости Компания Ramtron International предлагает ферроэлектрическую память [[FRAM FM25H20]] емкостью 2 Мбит в 8-выводном корпусе TDFN с размерами 5х6 мм. По заявлению компании, это первая в отрасли 2 Мбит FRAM в корпусе TDFN.
Корейцы создали самый быстрый SSD 20.11.200804.03.2020 Память Новости Южнокорейская компания Mtron разработала [[самый быстрый в мире SSD-накопитель.]] Твердотельные накопители серии PRO 7500 считывают и записывают информацию со скоростью 130 и 120 Мбайт/с соответственно.
Google переведет свои сервера на флэш-память 20.11.200804.03.2020 Память Новости Компания Google намерена в части своих серверов [[заменить классические жесткие диски SSD-накопителями]], сообщает DigiTimes. По информации издания, поставщиком SSD-накопителей для Google будет Intel, контроллеров - Marvell.
Hynix и Micron от выпуска чипов переходят к выпуску карточек памяти 20.11.200804.03.2020 Память Новости Производители флэш-памяти типа NAND переходят от выпуска чипов к выпуску готовых продуктов, карточек памяти. Если верить отраслевым источникам, такой шаг решили сделать компании Hynix Semiconductor и Micron Technology.
Скорость флэш-винчестеров выросла в 2 раза 20.11.200804.03.2020 Память Новости Компания Samsung анонсировала первый в своей линейке SSD-накопитель на 256 Гбит - вдвое большей емкости по сравнению с существующими продуктами Samsung. Новое устройство обладает рекордной на сегодняшний день скоростью работы: непрерывное чтение информации происходит со скоростью 200 Мбит/с, записи - 160 Мбит/с.
Intel и Micron первыми перешагнули рубеж 40 нм в производстве флэш-памяти типа NAND MLC 20.11.200804.03.2020 Память Новости Компании Intel и Micron Technology представили первую в отрасли флэш-память типа NAND, изготовленную по нормам 34 нм.
Первая фабрика по производству нанотрубок готова к выпуску продукции 20.11.200804.03.2020 Память Новости Углеродные нанотрубки готовы к коммерциализации, утверждает первая foundry, предлагая тонкопленочные нанотрубки fabless компаниям.
Первая в отрасли 32 Гбит NAND флэш с технологией 3х от Hynix 20.11.200804.03.2020 Память Новости Компания Hynix Semiconductor, вторая по величине среди крупнейших мировых производителей флэш-памяти, разработала новую NAND флэш, которая на 30% меньше ныне существующих приборов.
Kingston Technology лидирует по поставкам на рынке памяти 20.11.200804.03.2020 Память Новости Согласно исследованию рынка модулей памяти, которое провело агентство iSuppli, компания Kingston Technology, крупнейший независимый мировой производитель устройств хранения данных, была признана глобальным лидером в этом сегменте в 2007 году.
Создана Группа SPMT для разработки нового стандарта интерфейса памяти для мобильной техники 20.11.200804.03.2020 Память Новости Компании ARM, Ericsson, Hynix, LG, Silicon Image, Samsung, Sony Ericsson Mobile и STMicroelectronics сформировали [[рабочую группу SPMT (Serial Port Memory Technology)]] для разработки нового стандарта интерфейса памяти для мобильной техники.
Микросхемы памяти портят картину на рынке полупроводниковых компонентов 20.11.200804.03.2020 Память Новости Ассоциация полупроводниковой промышленности SIA (Semiconductor Industry Association) опубликовала [[отчет о состоянии рынка полупроводников]] в первом квартале 2008 г.
Высокочастотный кварцевый генератор с установкой пределов выходной частоты и низким джиттером от Maxim 20.11.200804.03.2020 Память Новости Компания Maxim Integrated Products представила DS4M-XO – серию [[генераторов с кварцевой стабилизацией, которые обеспечивают частоту тактовых сигналов от 100 до 300 МГц]] с установкой пределов выходной частоты.