2W5zFJYkpKA
https://www.icgamma.ru/brands/sipeed/?erid=2W5zFGDqcBr

Разработка и внедрение АПАК для поиска дефектов изделий микроэлектроники с помощью искусственного интеллекта Часть 10. Обзор, анализ, разработка и испытание технологии виртуальной реальности в автоматизированных системах обнаружения дефектов изделий электронной техники

В журнале "Электронные компоненты" №№2–10 2025 г. описаны методы и способы настройки изображений для видимого диапазона обнаружения дефектов, методы измерения, классификации и формирования базы данных (БД) дефектов с помощью автоматизированного программно-аппаратного комплекса (АПАК) для поиска дефектов изделий электронной техники (ИЭТ) с сохранением изображения дефекта в БД для дальнейшего применения. Описано также обнаружение дефектов полупроводниковых пластин в поляризованном свете, рассмотрена проверка качества порошковых материалов и микроструктур поверхностей, описан поиск дефектов микросварки с помощью электромагнитных устройств, проведены исследования поиска дефектов путем анализа их ключевых особенностей с помощью современных алгоритмов компьютерного зрения (КЗ) на основе особых точек, и предложен новый эффективный комбинированный метод поиска дефектов. Разработана и проверена на изделиях микроэлектроники новая универсальная и надежная технология поиска дефектов с помощью многоракурсной структуры и метода гомографии. Эксперименты подтвердили высокую точность и эффективность этих методов в обнаружении дефектов, в том числе на корпусах интегральных микросхем. Описано также внедрение АПАК для автоматизации процесса обнаружения дефектов на металлокерамических корпусах типа 4. В этой части статьи дается обзор, а также описывается анализ, разработка и испытание технологии виртуальной реальности в автоматизированных системах обнаружения дефектов ИЭТ.

Полупроводниковая микроэлектроника – 2025 г. Часть 2.2. Стремительная эволюция технологий и приборов на основе широкозонных полупроводников

Мировая полупроводниковая отрасль в производстве ШЗП переходит на пластины диаметром 200–300 мм, что приведет к снижению себестоимости, рыночным ценам чипов и росту конкуренции. Компания Onsemi анонсирует высоковольтную вертикальную технологию GaN-on-GaN. Совершенствующаяся технология GaN-on-QST в ближайшие годы изменит мировой рыночный ландшафт в производстве GaN-продукции и в бизнес-моделях развития компаний за счет лишения имеющихся преимуществ IDM-компаний. Технологии и продукция на основе широкозонных полупроводников SiC и GaN развиваются ускоренными темпами, а исследования с новыми материалами AlN, ScAlN переходят на прикладной этап.

Созданы полимерные волноводы на замену медным кабелям в ЦОД

Если говорить о центрах обработки данных, то горизонтальное масштабирование означает увеличение количества компьютеров с искусственным интеллектом, которые можно объединить для решения крупной задачи по частям. Вертикальное масштабирование, с другой стороны, означает встраивание как можно большего количества графических процессоров в каждый из этих компьютеров, объединение их в единую гигантскую систему и ускорение решения более крупных задач. Эти решения основаны на двух разных физических соединениях. Горизонтальное масштабирование в основном опирается на фотонные чипы и оптическое волокно, которые вместе могут передавать данные на сотни или тысячи метров. Вертикальное масштабирование, в результате которого сети становятся примерно в 10 раз плотнее, основано на гораздо более простой и менее дорогостоящей технологии — медных кабелях, длина которых часто не превышает одного-двух метров.

Разработка и внедрение АПАК для поиска дефектов изделий микроэлектроники с помощью искусственного интеллекта Часть 9. Внедрение АПАК для автоматизации процесса обнаружения дефектов на металлокерамических корпусах типа 4

В ЭК №№2–9 2025 г. описаны методы и способы настройки изображений для видимого диапазона обнаружения дефектов, методы измерения, классификации и формирования базы данных (БД) дефектов с помощью автоматизированного программно-аппаратного комплекса (АПАК) для поиска дефектов изделий электронной техники (ИЭТ) с сохранением изображения дефекта в БД для дальнейшего применения, описано обнаружение дефектов полупроводниковых пластин в поляризованном свете, рассмотрена проверка качества порошковых материалов и микроструктур поверхностей, описан поиск дефектов микросварки с помощью электромагнитных устройств, представлены результаты проведенных исследований по поиску дефектов путем анализа их ключевых особенностей с помощью современных алгоритмов компьютерного зрения на основе особых точек, и предложен новый эффективный комбинированный метод поиска дефектов, эффективность которого подтверждена экспериментальными исследованиями. Кроме того, описана новая технология поиска дефектов на основе многоракурсной структуры. Эксперименты на изделиях микроэлектроники показали универсальность и надежность разработанной технологии, описан поиск дефектов методом гомографии. Эксперименты подтвердили его высокую точность и эффективность в обнаружении дефектов на корпусах интегральных микросхем. В этой части статьи описано внедрение АПАК для автоматизации процесса обнаружения дефектов на металлокерамических корпусах типа 4 (планарных), выводы которых расположены параллельно плоскости основания и выходят за границы проекции тела микросхемы. Перед ее монтажом выводы формируются, чтобы обеспечить плотное прилегание их к плоскости контактных площадок.