https://lauftex.ru/collection/svch-pereklyuchateli/?erid=2W5zFJbMt9e
https://www.icgamma.ru/brands/sipeed/?erid=LjN8KNmg2

В АРПЭ призвали не разрабатывать оборудование на американских процессорах

Исполнительный директор Ассоциации российских разработчиков и производителей электроники (АРПЭ) Иван Покровский рассказал в интервью "Российской газете" об итогах года для отечественной электроники, перспективах ее развития и влиянии мировых трендов.

Какие итоги 2025 года можно выделить для российской электроники?

Иван Покровский: После резкого подъема 2023 года отрасль приземляется ...

Разработка и внедрение АПАК для поиска дефектов изделий микроэлектроники с помощью искусственного интеллекта Часть 10. Обзор, анализ, разработка и испытание технологии виртуальной реальности в автоматизированных системах обнаружения дефектов изделий электронной техники

В журнале "Электронные компоненты" №№2–10 2025 г. описаны методы и способы настройки изображений для видимого диапазона обнаружения дефектов, методы измерения, классификации и формирования базы данных (БД) дефектов с помощью автоматизированного программно-аппаратного комплекса (АПАК) для поиска дефектов изделий электронной техники (ИЭТ) с сохранением изображения дефекта в БД для дальнейшего применения. Описано также обнаружение дефектов полупроводниковых пластин в поляризованном свете, рассмотрена проверка качества порошковых материалов и микроструктур поверхностей, описан поиск дефектов микросварки с помощью электромагнитных устройств, проведены исследования поиска дефектов путем анализа их ключевых особенностей с помощью современных алгоритмов компьютерного зрения (КЗ) на основе особых точек, и предложен новый эффективный комбинированный метод поиска дефектов. Разработана и проверена на изделиях микроэлектроники новая универсальная и надежная технология поиска дефектов с помощью многоракурсной структуры и метода гомографии. Эксперименты подтвердили высокую точность и эффективность этих методов в обнаружении дефектов, в том числе на корпусах интегральных микросхем. Описано также внедрение АПАК для автоматизации процесса обнаружения дефектов на металлокерамических корпусах типа 4. В этой части статьи дается обзор, а также описывается анализ, разработка и испытание технологии виртуальной реальности в автоматизированных системах обнаружения дефектов ИЭТ.

Полупроводниковая микроэлектроника – 2025 г. Часть 2.2. Стремительная эволюция технологий и приборов на основе широкозонных полупроводников

Мировая полупроводниковая отрасль в производстве ШЗП переходит на пластины диаметром 200–300 мм, что приведет к снижению себестоимости, рыночным ценам чипов и росту конкуренции. Компания Onsemi анонсирует высоковольтную вертикальную технологию GaN-on-GaN. Совершенствующаяся технология GaN-on-QST в ближайшие годы изменит мировой рыночный ландшафт в производстве GaN-продукции и в бизнес-моделях развития компаний за счет лишения имеющихся преимуществ IDM-компаний. Технологии и продукция на основе широкозонных полупроводников SiC и GaN развиваются ускоренными темпами, а исследования с новыми материалами AlN, ScAlN переходят на прикладной этап.