TSMC снова объявила о планах производства 450-мм пластин


В Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) подтвердили информацию о запуске первой линии для опытного производства 450-мм пластин.

На пластинах больших диаметров компания планирует изготавливать транзисторы по FinFET-технологии на 10- и 7-нм технорме в 2016-17 гг.

В TSMC также рассчитывают на то, что к концу 2017 г. литография жесткого ультрафиолета (EUV) будет готова для производства 10-нм чипов.

По словам Джей-Кей Вана (JK Wang), вице-президента TSMC по координации работы фабрик компании по производству 300-мм пластин, прежде поставщики оборудования не решались вкладывать деньги в производство инструментов для изготовления 450-мм пластин, но в настоящее время в отрасли начинают готовиться к предстоящему переходу на новый диаметр. 

Г-н Ван отметил, что все крупные производители оборудования выделили на НИОКР по разработке 450-мм оснащения около 15% от капитальных затрат.

В TSMC рассчитывают завершить установку большей части оборудования, необходимого для производства пластин диаметром 450 мм к концу IV кв. 2015 г., а запустить линию для изготовления опытных образцов в 2016-2017 гг. Кроме того, по словам г-на Вана, на конец 2017 г. запланировано завершение работ по установке EUV-сканера для 193-нм иммерсионной литографии.

Г-н Ван заявил, что 450-мм пластины TSMC будут предназначены для изготовления продукции по 10- и 7-нм техпроцессу.

Также в TSMC планируют расширять 28-нм мощности с выходом к концу 2013 г. на уровень 100 тыс. 300-мм пластин в месяц. В фаундри-компании также намерены запустить производство 20-нм чипов уже в 2014 году.

Читайте также:
Переход на 450-мм пластины приобретает реальные черты
TSMC купил участок для строительства фабрики по производству 450-мм пластин
TSMC начинает строительство фабрики по производству 450-мм п/п пластин
TSMC построит опытную линию по выпуску 450-мм пластин
TSMC внедрит в производство 16-нм FinFET уже к концу 2013 года

Источник: DigiTimes

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *