TSMC приступит к серийному выпуску 28 нм SoC в начале 2010 года


Кремниевая мастерская Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) сообщила о завершении разработки 28 нм техпроцесса в развитие 32 нм Silicon Oxynitride (SiON)/poly технологии. Процесс оптимизирован по производительности и энергопотреблению кристаллов. Компания планирует начать поставки приборов, изготовленных по новой технологии, в начале 2010 года.

Представитель TSMC, выступая 17 июня на симпозиуме, отметил, что компании удалось добиться приемлемого выхода годных при изготовлении 64 Мбит SRAM по 28 нм нормам при площади ячейки 0,127 мкм2 и плотности 3900 kgate/мм2 (kgate – тысяч затворов). В докладе отмечено, что транзисторы с использованием SiON позволяют на 25-40% увеличить быстродействие приборов и на 30-50% снизить их потребление по сравнению с 45 нм аналогами.

«Эта разработка велась в тесном сотрудничестве с компаниями, которые стремятся расширить свои возможности, выводя на рынок новые приложениями на базе 28 нм технологии», говорит Jack Sun, вице-президент по R&D из TSMC. Sun сообщил, что в настоящее время компания завершает комплекс работ, которые позволят начать полномасштабное производство 28 нм приборов в начале 2010 года.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *