TSMC намерена внедрить EUV-проекцию на этапе производства с нормами 5 нм


А 10-нм техпроцесс проходит процедуру передачи на заводы с планом начать получать прибыль от выпуска 10-нм решений в первом квартале 2017 года.

Компания TSMC отчиталась о работе во втором квартале 2016 календарного года. В годовом отношении выручка компании за период выросла на 8%. Это хороший результат для настоящего времени с непростой экономической обстановкой во всём мире. В дальнейшем TSMC ожидает постоянного увеличения операционной прибыли вплоть до 2020 года с ежегодным приростом в диапазоне 5-10%. Такой оптимистический прогноз базируется на том, что 55% выручки TSMC получает от выпуска чипов для мобильных устройств (смартфонов, планшетов и прочего). В настоящем компания уже внепланово повысила объём запланированных на 2016 год капитальных затрат на 500 млн долларов США или до 10,5 млрд долларов.

Важной частью доклада руководства TSMC стал рассказ о планах по освоению новых техпроцессов. Так, 10-нм техпроцесс проходит процедуру передачи на заводы с планом начать получать прибыль от выпуска 10-нм решений в первом квартале 2017 года. Техпроцесс с нормами 7 нм находится на опытной стадии, и процесс освоения идёт с опережением графика. Данный техпроцесс также служит полигоном для обкатки использования в производственном цикле EUV-сканеров с длиной волны 13,5 нм. Примечательно, что TSMC самостоятельно изучает вопросы, связанные с подбором материалов для фотомасок и фоточувствительных материалов, а также разрабатывает механизмы по минимизации последствий воздействия на сырьё и материалы жёсткого излучения.

В активе TSMC четыре сканера ASML NXE:3350 со 125-Вт источниками излучения. В первом квартале 2017 года к ним присоединятся ещё два сканера ASML NXE:3400. Коммерческий выпуск 7-нм чипов ожидается в начале 2018 года. Техпроцесс с нормами 5 нм компания начнёт внедрять на производстве к 2020 году. К этому времени EUV-сканеры смогут работать с коммерческой производительностью и могут стать единственными инструментами по обработке пластин с 5-нм чипами. Тем самым производство упростится и станет дешеветь, а плотность размещения элементов на кристалле значительно увеличится.

Источник: Ф-Центр

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *