Tsinghua сообщила о старте строительства второго завода для выпуска 3D NAND


Всего в строительство завода Tsinghua вложит $30 млрд, а местные власти будут финансировать строительство инфраструктуры на уровне расходов в 30 млрд юаней.

В воскресенье состоялось торжественное мероприятие по запуску строительства второго крупного завода по выпуску микросхем памяти под контролем компании Tsinghua Unigroup. Предприятие начало строиться в окрестностях города Нанкин на площади 6 млн м2. Кроме завода, который будет выпускать 3D NAND и DRAM, в новом технопарке будет построена сопутствующая инфраструктура, включая центр разработок, офисы и школы, а также места для проживания персонала. Всего в строительство завода Tsinghua вложит $30 млрд, а местные власти будут финансировать строительство инфраструктуры на уровне расходов в 30 млрд юаней.

Для компании Tsinghua Unigroup это будет второй завод по выпуску 3D NAND, в который она вкладывает средства. Первое предприятие начало строиться в августе прошлого года вблизи города Ухань. Завод в Ухане получит финансовую поддержку в объёме $24 млрд. В строительство также вложилась китайская компания XMC, создавшая для этого с Tsinghua совместное предприятие Yangtze River Storage Technology. Завод в Нанкине также будет обслуживать данное СП. Первая очередь линий на предприятии будет способна ежемесячно обрабатывать до 100 тыс. 300-мм пластин. Судя по всему, плановая мощность завода — это 300 тыс. 300-мм подложек в месяц. Столько же будет способен обрабатывать завод в городе Ухань.

Итого, к 2020-2025 годам компания Tsinghua будет располагать минимум 600 тыс. подложек в месяц с памятью DRAM и NAND-флэш. Ожидается, что почти все они будут использоваться для внутреннего потребления в стране. Это колоссальные объёмы, которые будут забраны у компаний Samsung, Micron и SK Hynix. Ранее руководство Micron предостерегло Китай от строительства заводов по выпуску памяти, грозя перепроизводством и крахом индустрии. Как видим, компания Tsinghua Unigroup оказалась глуха к этим угрозам.

Источник: Ф-Центр

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *