В сотрудничестве с компанией Hitachi исследователи из Университета Сюррея создали [[полевой транзистор на основе аморфного кремния с уменьшенным током утечки и увеличенным быстродействием]], используя более узкий канал.
Обычно, границы зерен и другие дефекты в аморфном кремнии уменьшают подвижность действующих носителей заряда в транзисторе, а случайные носители заряда создают высокий ток утечки. Транзистор, созданный в Университете Сюррея, имеет толщину канала, намного меньшую, чем у обычных аморфных транзисторов – только 2 нм.
«В тонких каналах квантовые эффекты становятся доминирующими и запрещенная зона материала становится шире, уменьшая ток утечки», — отметил доктор Ксао Юн Гуо (Xiaojun Guo).
Рабочий ток также уменьшается, но в гораздо меньшей степени. При напряжении на затворе 2,5 В, отношение токов во включенном и выключенном состоянии разработанного транзистора равно 10, что невозможно получить в обычных транзисторах на аморфном кремнии.
Транзистор был разработан и смоделирован в Институте Усовершенствованной Технологии в Сюррее, а затем изготовлен в центральной исследовательской лаборатории Hitachi в Японии.
Разработанные транзисторы найдут применение в КМОП технологии для широкого круга приложений, которые включают дисплеи и сенсоры.