Toshiba заявила о прорыве в области германиевой технологии для 16-нм кристаллов


Компании Toshiba удалось совершить в технологии изготовления полупроводников прорыв, который имеет большое значение для будущего проектирования кристаллов по нормам 16 нм.

В настоящее время самой передовой технологией в полупроводниковом производстве для коммерческой продукции является 30-нм процессс для устройств памяти и 40-нм процесс – для логических микросхем. Работа велась над совершенствованием затвора и промежуточного слоя с высокой подвижностью носителей MISFET-транзисторов (со структурой металл-диэлектрик-полупроводник, МДП). Базовой технологией для этих транзисторов по проектной норме 16 нм и ниже является использование high-k/Ge-затвора с масштабируемой эквивалентной толщиной оксида EOT (equivalent oxide thickness) и с промежуточным слоем из германида стронция (SrGex) с высокой подвижностью носителей.

В настоящее время в каналах MISFET-транзисторов используется кремний, однако физические ограничения затрудняют получение требуемого тока управления в этих транзисторах при переходе на более совершенные технормы. Подвижность носителей в германии достаточно высокая, но имеются проблемы с реализацией устройства такого типа.

Совершенствование затворных структур германиевых MISFET-транзисторов представляет определённые трудности. В печати сообщалось об успехах в достижении высокой дырочной подвижности при использовании диоксида германия в изолирующем слое затвора, но из-за низкой диэлектрической проницаемости по-прежнему не был решён вопрос об уменьшении EOT до размера 0,5 нм, что требуется для перехода на 16-нм норму и ниже.

Компания Toshiba заявила о том, что ей удалось преодолеть трудности по созданию тонкого затвора, сохранив высокую дырочную подвижность за счёт введения промежуточного слоя SrGex между изолирующим слоем high-k и германиевым каналом. Максимальное значение подвижности дырок составляет 481см2/(В∙с).

Компания продолжит совершенствование этой технологии в качестве возможного варианта реализации германиевого MISFET-транзистора для кристаллов, выполненных по технормам 16-нм и ниже. Технология будет представлена на этой неделе на мероприятии 2009 VLSI Symposia, которое состоится в Киото, Япония.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *