Toshiba создала память XLL SRAM со сверхмалыми токами утечки


Toshiba заявила о создании памяти eXtremely Low Leakage (XLL) SRAM, обладающей сверхмалыми утечками, благодаря которой микроконтроллеры смогут быстро выходить из режима глубокого сна.

Для очень многих электронных устройств, работающих от батарейного питания, малое энергопотребление считается критически важным. Это относится к носимой электронике, беспроводным датчикам и мониторам физической активности. Существует множество факторов, препятствующих снижению электропотребления, но по мере освоения все более тонких техпроцессов все более актуальным становится уменьшение тока утечки. Особенно важно уменьшение тока утечки при использовании памяти с произвольным доступом, которая хранит данные в режиме ожидания.

Большинство микроконтроллеров значительно снижают энергопотребление при переходе в режим глубокого сна (ток утечки может упасть до 1мкA). Но обычная память SRAM не может хранить данные при таком токе, поскольку ей необходим существенно больший ток в режиме ожидания. В результате, когда микроконтроллер выходит  из режима сна,  требуется повторная загрузка данных в ОЗУ, а это требует некоторого времени. В качестве альтернативного варианта можно было бы применять память FRAM, однако она медленнее, чем SRAM, а в активном режиме потребляет больше и, кроме того, удорожает производство.

В случае с применением XLL SRAM ток утечки ниже в 1000 раз, чем у обычной SRAM: для одного бита памяти, произведенной по нормам 65 нм, ток равен 27 фА. Это даже меньше, чем у памяти SRAM, производимой по более тонкой технологии. Новая память способна хранить информацию более 10 лет без подзарядки или замены батарейки. Время доступа у этой памяти — 7 нс.

Таких характеристик удалось достигнуть благодаря применению новых транзисторов, из которых построены ячейки памяти. Более подробно о своей разработке производитель рассказал на конференции ISSCC 2014, прошедшей недавно. Новую память компания Toshiba планирует использовать в своих устройствах уже в текущем году.

Читайте также:
Toshiba переходит на 19-нм флеш-память второго поколения
Toshiba начала массовое производство флэш-памяти NAND 19 нм
Первая в отрасли флэш-память NAND по норме 20 нм
Производители NAND-флеш-памяти ускоряют переход на новый техпроцесс
IHS: NAND флеш-память переходит на 3-D и в 2015 г. займет более 30% всего рынка флеш-памяти
Toshiba на 30% сократит производство флэш-памяти
MRAM сменит SRAM-память в мобильных устройствах
Crocus Technology выбирает площадку для производства памяти MRAM
Crocus наладит серийное производство MRAM
Samsung и Hynix будут совместно разрабатывать память MRAM
IMEC показала 22-нм память SRAM, изготовленную с применением EUV-литографии

Источник: Toshiba

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *