Официальным пресс-релизом компания Toshiba сообщила, что она начала поставки опытных партий первой в индустрии 48-слойной флэш-памяти типа 3D NAND.
Ёмкость микросхем составляет 128 Гбит (16 ГБ). Каждая ячейка памяти хранит два бита данных. У компании Toshiba, кстати, есть собственное обозначение для такого типа памяти — BiCS (Bit Cost Scalable) — масштабирование стоимости хранения одного бита. К массовому производству памяти BiCS компания приступит в первой половине 2016 года. В принципе, это согласуется с прошлыми планами компании начать выпуск 3D NAND-флэш в течение финансового 2015 года (по календарю — до апреля 2016 года).
Массовым производством памяти BiCS будет заниматься преимущественно перестраиваемая сейчас фабрика Fab 2 компании в Йоккаичи. Компания Samsung, напомним, выпускает 128-Гбит память типа 3D NAND в массовых количествах уже полтора года и дошла до производства второго поколения такой памяти (как в виде MLC, так и TLC NAND). Компании Intel и Micron приступят к массовому выпуску 3D NAND во второй половине текущего года и сразу начнут производство с 256-Гбит микросхем. Образцы такой памяти уже поставляются. Из сказанного выше можно сделать вывод, что в значительных объёмах память 3D NAND появится ближе к середине 2016 года.
Источник: Toshiba