Компания Toshiba представила первый в мире мостовой чипсет для инновационных мобильных устройств на основе процессора, преобразующий сигнал из формата HDMI в формат MIPI CSI-2 и поддерживающий разрешение 4K. Преобразование сигнала HDMI с разрешением Ultra HD (4K) в формат MIPI CSI-2 позволяет создавать устройства на основе процессора, поддерживающие разрешение 4K и использующие эталонную архитектуру
Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) представила новое устройство из семейства чипсетов-преобразователей MIPI Camera Serial Interface (CSI-2). Чипсет Toshiba TC358840 преобразует видеосигнал из формата HDMI в формат MIPI CSI-2 и поддерживает разрешение 4K (3840х2160), что позволяет создавать интеллектуальные телевизоры и мониторы, видеоприставки и цифровые мультимедийные адаптеры нового поколения.
 |
Чипсет Toshiba TC358840 появился в результате усовершенствования чипсета Toshiba TC358743. От предшественника его отличает приемник HDMI, работающий на частоте 297 МГц, и сдвоенный интерфейс MIPI CSI-2, поддерживающий видеоформат нового поколения 4K Ultra HD. Максимальное поддерживаемое разрешение – 4096х2160 при 24 бит/пк с частотой обновления 24 кадр./с или 3840х2160 при 24 бит/пк с частотой обновления 30 кадр./с. При этом максимальная пропускная способность HDMI составляет 297 МГц. Кроме того, поддерживается передача входного звукового потока HDMI по стандарту I2S и MIPI SLIMbus (Serial Low-power Inter-chip Media Bus), а также с использованием временного разделения каналов.
Компания Toshiba первой в мире создала чипсет, способный преобразовывать видеопоток Ultra HD HDMI для передачи через сдвоенный видеоинтерфейс CSI-2 и дальнейшей обработки процессорами интеллектуальных телевизоров, мониторов, видеоприставок и других видеоустройств, поддерживающих разрешение 4K. Поддерживаемая чипсетом TC358840 функция представления интерфейса Ultra HD HDMI в виде интерфейса камеры расширяет возможности процессора смартфона и открывает новые горизонты для производителей.
Чипсет Toshiba TC358840XBG выпускается в виде небольшого 80-контактного устройства размером 7х7 мм с расстоянием между контактами 0,65 мм. Для решений с низким энергопотреблением устройство оснащено подсистемами управления тактовой частотой и энергопотреблением.
Читайте также:
Toshiba создала память XLL SRAM со сверхмалыми токами утечки
Toshiba занялась карбидом кремния для силовой электроники
Toshiba и TSMC сообщают о разработке многоуровневых ячеек памяти ROM
Toshiba становится самым важным игроком среди производителей кремниевых LED-подложек
Toshiba поглотила компанию OCZ Technology
Toshiba переходит на 19-нм флеш-память второго поколения
Toshiba начала массовое производство флэш-памяти NAND 19 нм
Источник: пресс-релиз