Toshiba расширит производство Fab 5, предоставив площадку для изготовления флэш-памяти NAND по технологии следующего поколения, а также для микросхем 3D-памяти. Строительство завершится летом 2014 г.
Многоуровневая структура 3D NAND состоит из ячеек памяти, расположенных друг над другом, как в памяти DRAM. Компания Samsung, лидер на рынке NAND-памяти, в этом месяце заявила о том, что уже производит небольшие партии кристаллов NAND с вертикальной структурой.
Micron, третий крупнейший производитель на рынке NAND, также подготавливает серийный выпуск памяти 3D NAND. По словам Глена Хока (Glen Hawk), вице-президента отдела NAND-решений из Micron, прежде чем производство станет эффективным, потребуется освоить упаковку в одном кристалле нескольких десятков слоев, но до сих пор никто не знает их точного числа.
 |
Глен Хок (Glen Hawk), вице-президент, Micron
Объем первого кристалла 3D NAND-памяти от Samsung с 24-мя слоями составил 128 Гбит.
Преимущество NAND-памяти заключается в том, что ее вертикальная структура исключает необходимость в дальнейшем уменьшении проектной нормы. Например, в вертикальной 3D NAND-памяти первого поколения используется не самая современная технорма.
Хок признается, что за всю его карьеру компания впервые изготавливает кристаллы большего размера, но с лучшими характеристиками и меньшей ценой. У вертикальных NAND-устройств выше надежность и производительность, чем у планарной NAND-памяти.
При проектных нормах меньше 1 мкм ячейки NAND-памяти теряют заряд. Поскольку на одну ячейку памяти, изготовленной по норме ниже 20 нм, приходится несколько десятков электронов, поведение таких запоминающих устройств непредсказуемо. В то же время ячейки вертикальных NAND-структур насчитывают сотни электронов.
Изготовление NAND-памяти с вертикальными слоями не ограничивается методом литографии и расстоянием между элементами и определяется лишь физическими процессами в ячейке.
По словам Хока, в скором времени ожидаются еще два поколения планарных запоминающих NAND-кристаллов, а к концу 2015 г. на рынке появится NAND-память с вертикальной структурой.
В результате перехода от планарной структуры к вертикальной изменится и соответствующее оборудование, в котором станут применяться эти устройства.
 |
Источник: Electronics Weekly
Читайте также:
Samsung приступила к серийному производству памяти на 3D-кристаллах
Недорогая и плотная 3D-память стала ближе на один шаг
Что внутри 20-нм 3D-флеш-памяти NAND от Intel?
3D-память Micron заинтересовала еще две компании
TSMC предложит сборку 3D-микросхем в начале 2013 г.
Создана система для 3D-печати электронных схем
Samsung и Toshiba снизят темпы производства NAND