Toshiba и SanDisk приступили к монтажу линий по выпуску 3D NAND


Переход на выпуск флэш-памяти типа 3D NAND видится единственной альтернативой для дальнейшего увеличения плотности записи и для снижения стоимости хранения данных на твёрдотельных накопителях.

Intel также планирует модернизировать для выпуска 3D NAND полупроводниковый завод компании в Китае. Но для Intel память 3D NAND — это не диковинка. Её совместное с компанией Micron предприятие подобную память в коммерческих объёмах в этом году уже начало выпускать. Также в этом году память 3D NAND начала выпускать компания SK Hynix, а компания Samsung так и вовсе приступила к производству третьего по счёту поколения 3D NAND.

Отстают от коллег одни лишь компании Toshiba и SanDisk — партнёры по бизнесу, связанному с выпуском флэш-памяти. Для выпуска 3D NAND или, как эту технологию называют в Toshiba — BiCS FLASH, предназначается завод компании в Йоккаичи. Год назад предприятие Toshiba и SanDisk — Fab 2 — было разрушено, и на его месте возведены современные цеха с новой и расширенной «чистой комнатой». Компания Toshiba сообщила, что на заводе Fab 2 начат этап по установке производственного оборудования для выпуска памяти BiCS (3D NAND). Коммерческий выпуск памяти 3D NAND партнёры начнут в первом квартале календарного 2016 года. Пока объёмы производства не определены. Они будут сформированы в зависимости от текущей рыночной ситуации.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *