Toshiba и Hynix сотрудничают в разработке MRAM

Две эти компании расширили кросс-лицензионные соглашения и соглашения о поставках продукции отнросительно MRAM с переносом спинового момента. Хотя этот вид магнитной памяти с произвольным доступом совершенствуется уже 20 лет, технология переноса спинового момента – относительно новое направление.

Интерес к MRAM, который испытывают компании к MRAM в течение многих лет, основан на универсальных возможностях этой памяти. Среди тех, кто пытался ее разработать, были компании IBM, Infineon, Honeywell, NEC, Cypress, Motorola/Freescale (из отдела MRAM которых образовалась компания Everspin Technologies), Sony, Hitachi, Renesas, Samsung, Micron и Crocus.

Infineon произвела 16-Мбит опытный образец MRAM в 2004 г. Honeywell выпустила на рынок 1-Мбит запоминающее устройство в 2005 г.; Toshiba и NEC представили демо-образец 16-бит устройства в 2006 г.; Freescale поставляла 4-Мбит MRAM по цене 25 долл. за 1 шт. в 2006 г.; Hitachi и Toshiba продемонстрировали 32-Мбит устройство в 2009 г., а в следующем году – MRAM с многоуровневыми ячейками.

Однако MRAM не в состоянии угнаться за флэш-памятью NAND, максимальный объем которой достиг 64 Мбит.

По словам О Чул Квона, главы Hynix, MRAM характеризуется очень привлекательными параметрами, к числу которых относятся высокая скорость, низкое потребление и большая емкость. Вполне возможно, что она с успехом станет применяться в новых поколениях смартфонов. MRAM – следующая платформа, которая обеспечит рост Hynix.

Киеши Кобаячи, глава Toshiba, считает MRAM важной технологией запоминающих устройств следующего поколения и надеется, что у MRAM – большой потенциал масштабирования энергонезависимой памяти. При этом Hynix в партнерстве с Toshiba будет заниматься оптимизацией производственного процесса и стоимости. Основным рынком MRAM глава Toshiba видит рынок мобильных устройств.

Сотрудничество между Toshiba и Hynix направлено на то, чтобы снизить риск разработки и ускорить коммерциализацию MRAM.

Для хранения данных в MRAM используются магнитные свойства материалов. В отличие от DRAM, в которой состояния 0 и 1 устанавливаются в отсутствие и при прохождении зарядов через конденсаторы ячеек, данные в MRAM определяются с помощью эффекта туннельного магнитосопротивления, вследствие которого электрическое сопротивление ячейки изменяется в зависимости от взаимной ориентации намагниченностей в слоях.

Данные в MRAM записываются на основе давно известного метода с использованием магнитных сердечников.

Источник: electronicsweekly.com

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *

Rambler's Top100