TI успешно интегрировала 3-D-технологию TSV в 28-нм КМОП-процесс

Texas Instruments сообщила о том, что интеграция технологии TSV (through-silicon-vias) в 28-нм КМОП-процесс практически не сказалась на состоянии транзисторов.

В докладе инженеров TI, который в скором времени будет представлен на симпозиуме VLSI Technology and Circuits 2012 в Гонолулу, сообщается, что влияние сквозных отверстий в технологии вертикальных межсоединений на транзисторы, расположенные от отверстий на расстоянии 4 мкм, оказалось минимальным. В этом докладе также описывается применение метода нанолучевой дифракции для измерения напряжения в кристаллах вблизи переходных отверстий.

По словам Джеффа Брайтона (Jeff Brighton), директора отдела разработки технологий CMOS 3-D ИС, интеграция технологии сквозных отверстий в 28-нм процесс осуществляется вполне успешно и практически не оказывает влияния на транзисторы. Это серьезный шаг на пути к интеграции разных устройств в один объемный кристалл.

Объемные кристаллы, разные уровни которых соединяются между собой, разрабатываются уже многие годы. В настоящее время компания Intel приступила к производству 22-нм 3D-кристаллов, созданных по трехзатворной технологии.

Брайтон утверждает, что пока ему еще не удалось прочесть ни одного сообщения о реализации технологии сквозных межсоединений на современных проектных нормах. Брайтон не сообщил о том, когда начнется производство кристаллов с использованием технологии TSV, заявив, что большинство системных ошибок в обработке пластин и корпусировании уже выявлено. При этом перед инженерами стоит еще ряд задач по усовершенствованию технологий.

Авторами статьи «Practical Implications of Via-Middle Cu TSV-induced Stress in a 28nm CMOS Technology for Wide-IO Logic-Memory Interconnect» являются Jeff West, Youn Sung Choi и Catherine Vartuli, сотрудники TI.

Источник: EE Times

Оставьте отзывОтмена