Карбид кремния (SiC) вместе с нитридом галлия (GaN) рассматривается Китаем как полупроводниковый материал «третьего поколения», который является ключевым для стремления Пекина перепрыгнуть и обогнать мировых конкурентов в разработке полупроводников, тем более что страна отстает в разработке на основе кремния.
