SuVolta и UMC развивают 28-нм техпроцесс с низким энергопотреблением


UMC и SuVolta разработают 28-нм техпроцесс, который интегрирует технологию транзистора с глубоко обедненным каналом (DDC) компании SuVolta в 28-нм техпроцесс компании UMC.

Технология DDC уменьшает токи утечки транзисторов и улучшает производительность SRAM при низких напряжениях.

SuVolta: технология глубоко обедненного канала (DDC). Слои, сверху вниз: нелегированная или слаболегированная область; область установки порогового напряжения; экранирующая область.

Компании объявили о доступных опциях этой технологии:

— Платформа DDC PowerShrink с малым энергопотреблением, позволяющая получить предельный выигрыш в производительности и энергопотреблении, в которой все транзисторы выполнены по технологии DDC.

— Опция частичной замены транзисторов DDC DesignBoost, которая работает с существующими базами дизайнов и позволяет заменять группу транзисторов на транзисторы с DDC. Типичными применениями этой опции является замена транзисторов с утечками на транзисторы с DDC, позволяющими снизить утечки, или замена транзисторов ячеек памяти SRAM на транзисторы с DDC для улучшения производительности и снижения минимального рабочего напряжения (Vmin).

«Благодаря введению прогрессивной технологии компании SuVolta в наш техпроцесс с HKMG (диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью и металлический затвор), мы планируем предоставить 28-нм техпроцесс для мобильной цифровой платформы, дополняющий наши существующие технологии Poly-SiON (затвор из поликремния на изоляторе из оксинитрида кремния) и HKMG», – заявил представитель UMC Т.Р. Ю (T.R.Yew).

«Работая вместе, мы разрабатываем техпроцесс, позволяющий легко адаптировать дизайны заказчиков UMC, – сказал Брюс МакВильямс (Bruce McWilliams), директор компании SuVolta. – SuVolta продвигает новые поколения мобильных устройств, предлагая производству альтернативу более дорогим и технически сложным производственным процессам».

Читайте также:
Fujitsu обратилась к SuVolta чтобы уменьшить вдвое энергопотребление Cortex-A0
Техпроцесс FD-SOI от ST: спасение европейской микроэлектроники?
Будущее технологий изготовления ИС: битва между Intel, IBM и ST
UMC планируют делать чипы для Qualcomm по 28-нм процессу
IEDM: FinFET-технология Intel вызвала огонь критики конкурентов
План внедрения FDSOI претерпел ключевые изменения: теперь сразу 14 нм
Производство 28-нм кристаллов на UMC началось раньше запланированного срока
UMC объединилась с ISDA для работы над 10-нм технологиями

Источник: Electronics Weekly

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *