ST улучшила 130-нм SOI-процесс изготовления РЧ-каскадов LTE ИС


Разработка объединяет RF-переключатель, малошумящий усилитель, многодиапазонный сотовый усилитель мощности, блок частотной развязки, RF-связь, настройку антенны и функции управления RF энергией.

STMicroelectronics освоила SOI-процесс, который использован для построения входного каскада RF-модуля, поддерживающего 40 частотных диапазонов, необходимых для LTE.

«Получивший название H9SOI_FEM техпроцесс позволяет говорить о достижении лучших в своём классе показателей для антенного переключателя и прибора антенной подстройки с произведением сопротивления и ёмкости Ron x Сoff равным 207 фемтосекундам», – сообщает ST.

«Процесс H9SOI_FEM позволяет нашим потребителям разрабатывать передовые модули входных каскадов, имеющие половину размера или меньше в сравнении с известными на сегодняшний день решениями, – говорит сотрудник ST Флавио Бенетти (Flavio Benetti). – Более того, мы достигли упрощённого процесса, что позволило обеспечить крайне короткое общее время задержки и обеспечили гибкость по питанию, эти решения являются ключевыми для потребителей в этом сегменте рынка».

ST готов начать работать с заказчиками над новым дизайном использую H9SOI_FEM. Массовый перевод оборудования на рабочий режим ожидается в конце этого года.

H9SOI_FEM-процесс использует технологию 0,13 мкм с двумя затворами 1,2 В и 2,5 В MOSFET. В отличие от стандартных SOI-процессов, таких которые используются в дискретных устройствах как RF переключатели, H9SOI_FEM поддерживает многие технологии, такие как GO1 MOS, GO2 MOS, и оптимизированную NLDMOS. Это позволяет H9SOI_FEM поддерживать полную монолитную интеграцию всех ключевых функций входного каскада RF, которые включают RF-переключатель, малошумящий усилитель, многорежимный многодиапазонный сотовый усилитель мощности (УМ), блок частотной развязки, RF-связь, настройку антенны и функции управления RF энергией.

GO1 MOS предпочтительна для высокопроизводительных малошумящих усилителей, имеющих характерный уровень шума со значением 1,4 дБ на частоте 5ГГц и обеспечивающих пороговую частоту Ft 60 ГГц, допускающую конструирование на 5ГГц с запасом надёжности.

В дополнение к GO2 CMOS, GO2 NMOS широко используется с RF переключателями и позволяет ST процессу предложить лучшее достижение промышленности для антенных переключателей и приборов настройки антенн, с произведением сопротивления и ёмкости Ron xCoff равным 270 фс.

Высоковольтный GO2 MOS позволяет интеграцию УМ и функций управления энергией. Оптимизированный NLDMOS позволяет УМ достичь Ft 36 ГГц и эффективности 60% при насыщенном нижнем диапазоне GSM мощности. Для управления энергией, PLDMOS технология с напряжением пробоя 12 В позволяет присоединять устройство прямо к батарее.

Эффективность интегрированных пассивных компонентов также оптимизирована нанесением трёх или четырёх алюминиевых слоёв и также когда необходимо толстой меди.

H9SOI_FEM подходит как для рынка начального уровня, где востребованы низкая стоимость и обширная интеграция, так и для профессионального сегмента смартфонов. Продвинутые продукты обычно требуют комбинации многих частотных диапазонов, чтобы поддерживать не только сети стандартов 2G, 3G и 4G, но также различные другие беспроводные стандарты соединения, такие как Bluetooth, Wi-Fi, GPS и NFC (коммуникация ближнего поля) для бесконтактных платежей.

Читайте также:
ST предоставляет университетам 28-нм процесс FD-SOI
X-Fab совершенствует свой «аналоговый» 180-нм техпроцесс и снижает его стоимость
ST во Франции предлагает МЭМС на мультипроектных пластинах
Техпроцесс FD-SOI от ST: спасение европейской микроэлектроники?

Источнник: Electronics Weekly

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *