ST и Memoir Systems выпускают быструю встраиваемую память по FD-SOI


Вследствие тесного сотрудничества двух компаний, STMicroelectronics сделала возможным применение технологии алгоритмической памяти компании Memoir Systems для встраиваемой памяти в специализированных ИС (ASIC) и системах на кристалле (СнК), производимых STMicroelectronics по технологии полностью обедненного кремния-на-изоляторе (FD-SOI).

«Сама по себе технология FD-SOI позволяет производить специализированные ИС и СнК, работающие быстрее и с меньшим нагревом, чем альтернативные производственные технологии, – заявил Филипп Магаршак (Philippe Magarshack), исполнительный вице-президент конструкторской службы в STMicroelectronics. – Добавляя выдающийся интеллектуальный продукт от Memoir Systems, мы делаем FD-SOI еще более привлекательной и демонстрируем насколько она легка для внедрения».

STMicroelectronics стала первым полупроводниковым производителем, сделавшим доступной чрезвычайно интересную технологию FD-SOI, которая расширяет и упрощает существующую планарную монолитную технологию. Транзистор FD-SOI работает на более высоких частотах, чем аналогичный транзистор, произведенный по монолитной КМОП-технологии, благодаря улучшенным статическим характеристикам и меньшей длине канала. Было замечено, что изделия произведенные по технологии FD-SOI демонстрируют на 30% большее быстродействие и на 30% большую энергоэффективность по сравнению с изделиями произведенными по монолитной технологии.

Читайте также:
Начинающая компания предлагает IP-блоки памяти
FD-SOI привлекла внимание ARM
Будущее технологий изготовления ИС: битва между Intel, IBM и ST
Rambus получит лицензию на технологию FD-SOI компании ST
Техпроцесс FD-SOI от ST: спасение европейской микроэлектроники?
FDSOI-транзисторы удалось разогнать до 3 ГГц
SMIC запускает 0,13-микронный техпроцесс LL eFlash
Toshiba переходит на 19-нм флеш-память второго поколения

Источник: EE Times Europe

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *