SPTS анонсирует техпроцесс сухого травления для выявления межсоединений


Компания SPTS Technologies анонсировала техпроцесс сухого травления для приложений по выявлению межсоединений. Скорость травления кремния, обеспечиваемая модулем Pegasus Rapier, в два раза превышает показатель ближайшего аналога, а степень однородности травления составляет ±2,5% на 300-мм TSV-пластинах.

Выявление межсоединений, или пост-обработка сквозных межсоединений (through silicon vias, TSV), осуществляется после их формирования. Пластину закрепляют лицевой частью вниз и шлифуют на глубину слепых межсоединений 5–10 мкм для обнаружения отверстий, заполненных медью. После травления кремния концы этих отверстий пассивируются диэлектриком, а затем полируются методом химико-механической планаризации (chemical mechanical planarization, CMP), чтобы покрыть слоем металла.

Величина полного разброса по толщине пластины (total thickness variation, TTV) определяется толщиной сквозных межсоединений пластины, степенью однородности сварных слоев и травления сквозных межсоединений, степенью механического утончения задней стенки подложки. Все эти параметры определяют успешность обработки пластин. Модуль Pegasus Rapier от SPTS обеспечивает гибкую обработку в нескольких режимах.

В силу разброса значений скорости шлифовки необходимо «на месте» определять момент появления отверстий. Пользователь должен самостоятельно измерять толщину кремния над отверстиями каждой пластины и задавать соответствующее время травления, что повышает стоимость, сложность и риск операций. Система ReVia модуля Pegasus Rapier автоматически обнаруживает момент появления концов отверстий, позволяя повысить выход годных пластин и избежать царапин.

Компания SPTS разрабатывает и производит установки для травления, системы PVD (physical vapor deposition –напыление конденсацией из газовой фазы), CVD (Chemical vapor deposition – химическое парофазное осаждение) и решения по термообработке пластин для МЭМС, для корпусирования, изготовления светодиодов, высокоскоростных ВЧ-кристаллов и микросхем по управлению питанием.

Источник: DigiTimes

Читайте также:
Технология напыления тонких пленок
Нанокабель на основе меди и углерода пригоден для систем аккумуляции энергии
Подсветка ЖК-дисплеев и общее освещение обеспечат крупнейший рост рынка сверхъярких светодиодов
TI успешно интегрировала 3-D-технологию TSV в 28-нм КМОП-процесс
3-D ИС, 14-нм процесс и дуализм 20-нм технологии: мнения ведущих экспертов
Объем мирового рынка полупроводников в июле немного увеличился

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *