Специалисты Renesas Electronics разработали встраиваемую 28-нм флеш-память для микроконтроллеров


Как сообщает компания Renesas Electronics, ее специалисты разработали первую в отрасли встраиваемую флеш-память для микроконтроллеров, рассчитанную на производство по нормам 28 нм.

Применение 28-нм технологии даст возможность увеличить объем встроенной флеш-памяти. Потребность в таком увеличении вызвана появлением более сложных задач, решаемых микроконтроллерами, в частности, действующими в составе автомобильной электроники и управляющими в реальном времени работой двигателя.

Выпускаемые сейчас по нормам 40 нм микроконтроллеры Renesas могут иметь до 8 Мбайт встроенной флеш-памяти. Применив новую разработку, можно будет создавать однокристальные решения, обладающие более 16 Мбайт флеш-памяти.

Прототип новой памяти, созданный Renesas, работает с тактовой частотой 160 МГц (память 40 нм работает на частоте 140 МГц), может до 20 лет хранить информацию и имеет ресурс 250000 перезаписей.

В качестве дополнительного выигрыша от перехода на техпроцесс 28 нм можно упомянуть уменьшение энергопотребления.

В новой флеш-памяти применена технология MONOS (Metal Oxide Nitride Oxide Silicon), а также транзисторные структуры, разработанные Renesas.

Читайте также:
Renesas сократит 20% рабочих мест
Sony купит у Renesas Electronics полупроводниковый завод
Renesas получила 1,5 млрд долл. от правительства и заказчиков
Broadcom покупает у Renesas производство LTE-чипов
Тайваньские поставщики воспользуются уходом Renesas с рынка MOSFET
В I кв. 2013 г. Toshiba, Renesas и Sony вернулись к прибыльности
Renesas ожидает рост потерь по мере снижения продаж ИС
Renesas будет приобретена фондом INCJ
Японское правительство намеревается спасти Renesas
Japan Inc. хочет помешать поглощению Renesas компанией KKR

Источник: Renesas Electronics

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *