Тайваньские и американские исследователи создали новый тип КМОП-памяти со скоростью записи данных в 10-100 раз выше, чем у существующих устройств.
Команда исследователей из тайваньских лабораторий и Калифорнийского университета в Беркли создала новые элементы памяти, которые могут записыватьи стирать данные в 10–100 раз быстрее, чем существующие устройства хранения данных. Они сконструированы по аналогии с принципом соединения магнитных шариков в популярной игре-конструкторе Nanodots.
 |
Научный парк в Синьчжу, Тайвань
Новая система использует слой непроводящего материала со встроенными дискретными (неперекрывающимися) наноточками кремния, каждая около 3 нм в поперечнике. Каждая наноточка хранит один бит памяти. Для управления памятью этот слой покрывается тонким металлическим слоем, который функционирует как металлический затвор. Затвор управляет переключениями транзистора в состояния «открыт» и «закрыт». Результаты исследования опубликованы в журнале Applied Physics Letters Американского физического института (American Institute of Physics, далее AIP).
По словам соавтора изобретения Цзя-Mин Ши (Jia-Min Shieh), научного сотрудника тайваньской национальной лаборатории наноустройств в Синьчжу (National Nano Device Laboratories, Hsinchu), «структура маталлизированного затвора является самым главным звеном в КМОП-технологии памяти. Наша система использует массив дискретных наноточек кремния для хранения и переноса заряда, причем управляется простым и быстрым способом».
Используя ультракороткие вспышки лазера, направленного на металлизированный затвор элемента памяти, исследователи смогли добиться высокой скорости работы устройства. Субмиллисекундные вспышки лазерного луча в течение короткого времени очень точно направлялись в область определённой наноточки, управляя затвором этой наноточки. Как считают исследователи, такой способ организации памяти особенно надежен, т.к. если происходит отказ одной из наноточек, то этот отказ практически не влияет на состояние других наноточек. Это дает возможность создавать стабильное и долговременное хранилище данных.
«Материалы и технологические процессы, использованные для нового устройства, совместимы с уже существующими технологиями, применяемыми для создания ИС. Новая технология не только соответствует существующим КМОП-процессам, но также может найти применение при производстве других устройств», — утверждает Цзя-Mин Ши.
Напомним, что в чём-то похожая технология используется в перспективном методе магнитной записи, называемом Laser-assisted magnetic recording (LAMR), который сейчас активно обкатывается в ведущих лабораториях и рассматривается с качестве ближайшего преемника самой современной массовой технологии магнитной записи heat-assisted magnetic recording (HAMR), позволяя увеличить плотность магнитной записи.
Источник: Science Daily
Читайте также:
Плотность записи на жестких дисках увеличилась до 1 Тбит/кв. дюйм
Первая в отрасли флэш-память NAND по норме 20 нм
3D-память Micron заинтересовала еще две компании
Договорные цены на DRAM-память: мартовские гонки