Создан источник излучения для EUV-литографии


Группа ученых из лаборатории Университета Вашингтона, которая более 10 лет работает в области термоядерного синтеза, достигла серьезного успеха в создании источника излучения для EUV-фотолитографии.

По словам представителей начинающей компании Zplasma (Сиэттл, шт. Вашингтон), их технология превосходит разработки таких фирм как Cymer, Xtreme Technologies и Gigaophoton за счет в 1000 раз большей мощности источника излучения для литографических установок глубокого ультрафиолета (EUV).

В настоящее известны два метода генерации излучения – с помощью ксеноновой плазмы или паров олова, созданных в результате разряда (discharged-produced plasma, DPP) или лазером (laser produced plasma, LPP). Оба этих метода характеризуются высоким потреблением энергии. Более того, ни один из них не позволяет достичь 100- или 200-Вт уровня мощности, которая позволила бы EUV-оборудованию работать с производительностью 60–125 пластин в час. Таким показателем характеризуется установка NXE:3300B от компании ASML Holding.

Ури Шумлак (Uri Shumlak), профессор аэронавтики и астронавтики из Университета Вашингтона, утверждает, что его коллективу удалость создать источник излучения, мощность которого позволяет использовать его в производстве микрокристаллов.

В лаборатории Университета Вашингтона для генерации плазмы используется термоядерный реактор, а также электронная система небольших размеров. Источник: University of Washington

Во всех источниках света, работающих на длине волны 13,5 нм, используется ксеноновая плазма. Лаборатория Университета Вашингтона оснащена недорогой моделью термоядерного реактора, в котором для удержания долгоживущей плазмы применяется электрический ток, а не система магнитов. Такой метод обеспечивает намного более простое управление, чем использование разрядной искры, проходящей сквозь пары олова, или воздействие лазерного излучения на оловянные капли.

Другие источники света для EUV-литографии генерируют импульсы продолжительностью 20–50 мкс, тогда как у источников света Zplasma этот показатель в 1000 раз превосходит эту величину. В результате на кремниевую пластину поступает излучение большей мощности. Группа ученых из Университета Вашингтона получила гранты и дотации, позволяющие им успешно завершить верификацию производства с использованием источника света с длиной волны 13,5 нм и уменьшить размеры оборудования.

В настоящее время компанию Zplasma возглавляет Генри Берг (Henry Berg). Компания нуждается в помощи со стороны инвесторов, участие которых позволило бы интегрировать источники света в существующие промышленные процессы.

Источник: EE Times

Читайте также:
Intel вложит в ASML более 4 млрд долл. для разработки производства 450-мм пластин
Темпы освоения новых топологических норм замедляются
У EUV-литографии альтернатив нет
ASML лидирует по продажам производственного оборудования в 2011 г./
ASML остается лидером на рынке литографического оборудования
Компания ASML выпускает EUV-оборудование для 16-нм техпроцесса
Оборудование ASML для 20-нм процесса появится уже в этом году
22-нм технология FinFET от Intel: официальные и неофициальные подробности
Институт IMEC установил превосходство FinFET-технологии
Перспективы техпроцесса на нормах ниже 10 нм по мнению IMEC
Без 450-мм производства Европа безнадежно отстанет от лидеров мирового рынка
Intel подтверждает планы создания 450-мм производства
Ни одна страна не откажется от размещения 450-мм фабрики
Глава IMEC настаивает на запуске производства пластин 450 мм
Дискуссия о перспективах субмикронной литографии и 450-мм пластин

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *