Сотрудничество Xilinx с TSMC продолжится на 20 нм


Успешный выпуск 28-нм устройств Xilinx на фабрике TSMC вдохновил крупнейшего поставщика ПЛИС воспользоваться услугами фаундри по изготовлению 20-нм изделий следующего поколения. Передача этой продукции в производство намечена на 2013 г.

Xilinx поставила более 10 тыс. ПЛИС 7-й серии, изготовленных по 28-нм техпроцессу TSMC, утверждает Винсент Тонг (Vincent Tong), руководитель отдела по Азиатско-тихоокеанскому региону. У TSMC не возникло каких-либо производственных проблем, связанных с изготовлением 28-нм кристаллов Xilinx, а план по выпуску этой продукции был выполнен на 5–8 месяцев быстрее намеченного.

Более 90 заказчиков установили 28-нм ПЛИС Xilinx примерно в 350 изделий. 7-я серия семейства ПЛИС компании Xilinx была изготовлена по техпроцессу 28HPL компании TSMC. ПЛИС 5-й и 6-й серий были изготовлены на предприятиях другой компании — United Microelectronics (UMC).

Следует заметить, что в распоряжении TSMC – только один 20-нм процесс, тогда как на других нормах этот фаундри-гигант предлагал заказчикам несколько технологий изготовления продукции.

На ежегодном технологическом симпозиуме TSMC Шанг-и Чианг (Shang-yi Chiang), исполнительный вице-президент компании, заявил, что после освоения 20-нм процесса TSMC предложит изготовление кристаллов по нормам 18 или 16 нм, если 14-нм литографический метод окажется дорогостоящим.

Shang-yi Chiang

По словам Чианга, поначалу TSMC планировала изготавливать кристаллы по двум 20-нм техпроцессам высокой производительности и малого потребления, в которых использовалась технология HKMG (high-k metal gate).

Однако затем TSMC пришла к выводу, что между двумя этими процессами не существует заметного различия в производительности. В силу очень малого размера элементов, близкого к физическому пределу, диапазон изменения длины затвора и других параметров транзисторов очень мал.

В настоящее время TSMC изготавливает 28-нм кристаллы с помощью четырех процессов, каждый из которых обеспечивает: высокую производительность; малое потребление; малое потребление с использованием технологии HKMG; высокую производительность для мобильных приложений.

В следующем году TSMC планирует запустить производство по 20-нм процессу с использованием технологии HKMG. В 2015 г. TSMC начнет производство по норме 14 нм, воспользовавшись технологией объемных транзисторов FinFET.

Полупроводниковая отрасль по-прежнему ожидает освоения фаундри-компаниями технологии EUV-литографии, планы реализации которой откладывались уже несколько раз. К настоящему времени не создан мощный источник УФ-излучения, необходимый для серийного производства. Компания ASML, поставляющая литографические инструменты и сотрудничающая с несколькими разработчиками источников УФ-излучения, обещает выпустить соответствующее оборудование в этом году. Серийное производство кристаллов с его использованием начнется в 2013–2014 гг.

Однако многие представители полупроводниковой индустрии скептично относятся к возможности технологии глубокого ультрафиолета своевременно обеспечить осуществление грандиозных планов TSMC и других ведущих производителей полупроводников. По словам Чианга, производителям литографического оборудования удалось немало сделать на пути коммерчески оправданного использования методов 193-нм иммерсионной литографии вплоть до 14 нм. Однако для формирования некоторых слоев по новой норме потребуется тройное, а для большинства слоев – двойное экспонирование, чтобы получить приемлемое качество изображения. Это обстоятельство существенно повысит стоимость 14-нм производства.

По словам Чианга, TSMC «очень внимательно оценивает» возможности 18- и 16-нм процессов, т.к. в случае их освоения они будут применяться в производстве не менее 10 лет.

Источник: DigiTimes

Читайте также:
У EUV-литографии альтернатив нет
Цена EUV-сканера превысила 120 млн долл.
Субмикронная УФ-литография появится нескоро
Электронно-лучевая литография спешит в массы
ASML остается лидером на рынке литографического оборудования
Компания ASML выпускает EUV-оборудование для 16-нм техпроцесса
IMEC готова к созданию 14-нм кристаллов
ST Ericsson открывает центр в Кремниевой долине

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *