Пока активнее всего 28-нм решения на подложках FD-SOI выпускает компания STMicroelectronics.
Начиная с 28-нм техпроцесса, часть компаний приступили к обработке так называемых пластин FD-SOI, у которых имеется дополнительный изолирующий тонкий слой из полностью обеднённого кремния (fully-depleted silicon-on-insulator). Из-за тонкого слоя изолятора такие пластины иногда называют сверхтонкими SOI. За счёт углублённого под проводящий канал транзистора тонкого изолятора удаётся избежать паразитных ёмкостей в канале или, во всяком случае, значительно снизить величину паразитной ёмкости.
Массовое использование пластин FD-SOI намечалось с 28-нм техпроцесса. Обработку таковых должны были внедрить компании Samsung и GlobalFoundries. Насколько мы понимаем, если это и произошло, то в очень скромном объёме. Пока активнее всего, хотя и на уровне опытного производства, 28-нм решения на FD-SOI подложках выпускает компания STMicroelectronics. Именно на заводе STMicroelectronics компания Sony смогла получить свой первый чип, разработанный и выпущенный с учётом использования FD-SOI.
Переход на новую технологию позволил значительно снизить потребление микросхемы. Так, вместо типичного питания 1,1 В для данного класса и поколения продукции, а речь идёт о GPS-приёмнике для спутниковой навигации, питание микросхемы снижено до 0,6 В. Потребление решения лежит в пределах от 1 мВт до 10 мВт. При этом в состав микросхемы CXD5600GF входят блок RF, логика и блок SRAM. Стоит отметить, что компания STMicroelectronics вряд ли сможет наладить массовый выпуск подобных решений. Выпускать 28-нм полупроводники по заказу STM должна была компания Samsung. Но последние два года компания Samsung была озабочена совсем другим. Ей надо было успешно внедрить 14-нм производство с использованием FinFET транзисторов. Поэтому переход на пластины FD-SOI, похоже, несколько задерживается.
Источник: EE Times