Смартфоны зададут тон на рынке DRAM


Объем поставленной DRAM-памяти для смартфонов вырастет в 2011 г. до 1,7 млрд Гбит, что на 157% превышает показатель 2010 г. К такому выводу пришли аналитики IHS. К 2015 г. поставки микросхем памяти увеличатся до 13,9 млрд ед. – на 700% относительно уровня 2011 г.

Демонтаж четырех недавно появившихся на рынке смартфонов показал, что объем содержащейся в них DRAM-памяти намного больше прежнего. Так, в смартфоне Xperia Play от Sony Ericsson объем встроенной памяти составляет 512 Мбайт; коммуникатор Galaxy Indulge от Samsung Electronics оснащен памятью в 5760 Мбайт. Смартфон iPhone 4 от Apple имеет 544 Мбайт, а HTC Thunderbolt – 768 Мбайт. Эти цифры в 4–6 раз превышают те максимальные показатели, которые характеризовали модели 2010 г., указывают аналитики IHS.

Иногда в одном телефоне установлена встроенная DRAM-память и многокристальные компоненты с энергонезависимой флэш-памятью NAND.

Прогноз потребления DRAM-памяти в смартфонах, Гбит

На долю стоимости памяти в списке материалов (BOM) четырех указанных телефонах приходится около 15,7%, при этом у iPhone самый высокий показатель – 22,1% BOM.

Ожидается, что в среднем потребление DRAM в смартфонах вырастет на 55% в 2012 г., достигнув 715 Мбайт, тогда как в 2011 г. этот показатель равен 461 Мбайт. В настоящее время аналитики IHS не видят ограничений на спрос встроенной памяти в эти мобильные устройства.

При этом планшетные компьютеры и смартфоны отнимают долю рынка ПК – самых крупных потребителей DRAM.

В результате роста рынка смартфонов доля потребляемой DRAM увеличится с 7,6% в 2011 г. до 10,6% в 2012 г. В 2013 г. она составит 13,4%, в 2014 г. – 14,9% и 16,0% – в 2015 г.

Источник: EETimes

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *