Скоро в электромобилях будут использовать устройства на основе нитрида галлия и карбида кремния


Компания GaN Systems представила доклад о новых широкозонных полупроводниках и их роли в автомобильной силовой электронике на конференции и выставке Electric & Hybrid Vehicle (электрические и гибридные автомобили), которая прошла в Мичигане (США) 17-19 сентября.

Производители, занятые конструированием электромобилей, выход на рынок которых запланирован в 2018 г., прогнозируют, что к этому времени нитрид-галлиевые полупроводники достигнут ценового паритета с кремниевыми устройствами.

Это сделает технологию привлекательной в качестве замены кремния в силовой электронике электрических и гибридных автомобилей.

«Электро- и гибридные автомобили вмещают множество силовой электроники — управление батареями, резервным питанием, тормозной системой, фазами клапанов, круиз-контролем, системами безопасности, кластерами приборов. И все эти системы страдают от ограничений, накладываемых кремнием, который не переключается достаточно быстро или не справляется с высокими температурами», — сказал Герван Паттерсон (Girvan Patterson), исполнительный директор GaN Systems.

«Новое поколение нитрид-галлиевых и карбид-кремниевых полупроводников преодолевает эти трудности, и к тому же они легче, меньше и удобнее для корпусирования. Эти новые устройства приведут к существенным улучшениям в автомобильной силовой электронике и предоставят значительные возможности для индустрии», — рассказал Паттерсон.

Джулиан Стайлс (Julian Styles), директор по развитию бизнеса в GaN Systems, выступил с разъяснением технологических преимуществ полупроводниковых материалов, которые, как он полагает, приведут к замене традиционного кремния в силовых преобразователях нового поколения электро- и гибридных автомобилей. Стайлс пояснил, в чем он видит преимущества силовых полупроводников с большой шириной запрещенной зоны, основанных на нитриде галлия. Среди них — больший коэффициент полезного действия, уменьшение массы и снижение стоимости силовой электроники для электро- и гибридных автомобилей.

Читайте также:
Знаменитая пятерка производителей автомобильных ИС
Уже 30 компаний начали использовать карбид кремния
Toshiba занялась карбидом кремния для силовой электроники
Imec и Veeco объединяют усилия по созданию устройств «нитрид галлия на кремнии»
Британия инвестирует 2 млн фунтов стерлингов в центр нитрида галлия компании NXP
Перспективы рынка силовых устройств на основе технологии GaN-on-Si
Япония инвестирует в ИС на базе GaN-на-кремнии
Карбидо-кремниевые пластины для силовой электроники
Рынок силовой GaN-электроники ждут большие перемены

Источник: Electronics Weekly

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *