В 96-слойной микросхеме TLC плотностью 512 Гбит используется технология памяти с ловушкой заряда.
Компания SK Hynix выпустила, по ее данным, первую в мире флэш-память 4D NAND. Под этим определением производитель подразумевает 96-слойную память TLC NAND, в которой используются технологии памяти с ловушкой заряда (CTF) и PUC (Peri. Under Cell). Плотность кристалла — 512 Гбит.
Название 4D NAND отражает использование в дополнение к вертикальной интеграции ячеек памяти, то есть их многослойной компоновке, размещение в подлежащем слое периферийных цепей. Отметим, что SK Hynix — не первый производитель, использовавший такую компоновку, как и не первый производитель, использующий технологию CTF, а не плавающего затвора. Достижение заключается в объединении CTF и PUC в одном изделии.
Вместе с увеличением слоев ячеек это позволило уменьшить размеры кристалла более чем на 30%, а число чипов на пластине — на 49% по сравнению с 72-слойными кристаллами 3D NAND такой же плотности. Кроме того, скорость записи удалось повысить на 30%, чтения — на 25%, а пропускную способность линий ввода-вывода довести до 1200 Мбит/с (в расчете на линию) при напряжении питания 1,2 В.
Серийный выпуск новой памяти начнется до конца года. В этот же срок SK Hynix рассчитывает представить SSD объемом 1ТБ, в котором будут использоваться контроллер и встроенное ПО собственной разработки.
Источник: SK Hynix, Techpowerup