SK Hynix предложила альтернативу памяти Intel 3D XPoint


В компании SK Hynix уверяют, что память типа MDS будет дешевле традиционной DRAM памяти и будет энергонезависимой, но при этом по скорости работы будет ближе к DRAM, чем к NAND-флэш.

На днях на конференции Korea Semiconductor Test Association представитель компании SK Hynix заявил, что его компания разработала альтернативу энергонезависимой памяти 3D XPoint. Память 3D XPoint, как известно, разработана компаниями Intel и Micron на основе ячейки из вещества с изменяемым фазовым состоянием. При этом общее строение памяти представляет собой перекрёстную структуру, что даёт возможность относительно легко наращивать массивы памяти как по горизонтали, так и по вертикали (многослойное строение). Накопители Intel на основе памяти 3D XPoint под брендом Optane обещают выйти на рынок до конца текущего года.

В качестве альтернативы 3D XPoint компания SK Hynix предлагает память типа DRAM с неким «логическим чипом» по-англ. Logic Chip. Технология называется Managed Dram Solution (MDS). По-русски это звучит как управляемое решение на основе DRAM. Подробности полностью отсутствуют. В компании SK Hynix уверяют, что память типа MDS будет дешевле традиционной DRAM памяти и будет энергонезависимой, но при этом по скорости работы будет ближе к DRAM, чем к NAND-флэш. Фактически то же самое, что предлагает компания Intel в лице накопителей Optane. Это хорошее решение для серверных платформ, считают в SK Hynix. Модули MDS, как и модули Optane, можно будет установить в стандартные слоты для оперативной памяти.

Вскоре компания SK Hynix представит разработку на суд комитета JEDEC. Коммерческое внедрение нового типа памяти компания рассчитывает начать в 2018 году. Это что же, они NVDIMM «изобрели»?

Источник: Ф-Центр

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *