К концу текущего года компания собирается перейти на выпуск 48-слойной 3D NAND-флэш, которая, как заявляют в SK Hynix, станет полностью конкурентоспособной.
На последней квартальной конференции, которая состоялась на прошлой неделе, представители компании SK Hynix немного прояснили ситуацию с планами по переходу на выпуск многослойной флэш-памяти или, как её ещё называют, 3D NAND-флэш. По словам руководства компании, уже в конце прошлого года всё было готово для начала массового производства 24-слойной 3D NAND-флэш. Но производство не стартовало. В компании пришли к выводу, что переход на новую структуру памяти надо начинать с 36-слойных решений. Именно с такой структуры компания SK Hynix намерена начать производство «вертикальной» флэш-памяти. И это производство должно стартовать в самом скором времени.
К концу текущего года компания собирается перейти на выпуск 48-слойной 3D NAND-флэш, которая, как заявляют в SK Hynix, станет полностью конкурентоспособной. К сожалению, в компании не озвучили главного — какая у микросхем будет ёмкость.
Напомним, компания Samsung в настоящий момент массово выпускает 32-слойную память ёмкостью 128 Гбит с использованием как MLC-ячеек, так и TLC-ячеек. Компания Toshiba приступит к выпуску 48-слойной памяти MLC ёмкостью 128 Гбит в первой половине 2016 года. Компании Intel и Micron начнут массовое производство 32-слойной 256-Гбит памяти MLC и 384-Гбит памяти TLC в четвёртом квартале 2015 года. Как видим, не имея данных о ёмкости многослойной флэш-памяти SK Hynix, непонятно, с чем её сравнивать. Одно хорошо — она практически не отстаёт от остальных игроков рынка. За исключением, конечно, компании Samsung.
Источники: CDRinfo, Ф-Центр