SK hynix и SanDisk представили стандарт флэш-памяти с высокой пропускной способностью HBF


Первая спецификация поддерживает емкость до 512 ГБ с использованием конфигураций стеков NAND с 8 и 16 уровнями пропускной способности (класс 1-3), обеспечивающих примерно от 0,4 до 3,0 ТБ / с.

Спецификация, представленная в рамках проекта Open Compute Project (OCP), использует стандартный для отрасли межкомпонентный интерфейс UCIe, что позволяет интегрировать HBF с широким спектром процессоров, включая графические и центральные процессоры. Кроме того, в спецификации определены интерфейсные и электрические характеристики, надежность и рекомендации по компоновке кристаллов HBF, а также требования к программному вводу-выводу, сообщили в SK hynix

В отличие от HBM, в котором кристаллы DRAM располагаются друг над другом для максимальной пропускной способности, в HBF кристаллы флэш-памяти NAND располагаются друг над другом, образуя новый уровень памяти между HBM и твердотельными накопителями.

По мнению TrendForce, HBF — это скорее дополнительная, а не конкурирующая технология, которая может решить проблему высокой стоимости и ограниченной пропускной способности HBM. Хотя NVIDIA пока не объявила о каких-либо планах по внедрению этой технологии, в отрасли в целом преобладают позитивные настроения. Интерес со стороны таких лидеров отрасли, как Google и Tenstorrent, свидетельствует о готовности рассмотреть возможность внедрения HBF, хотя конкретные сценарии использования пока не определены.

В долгосрочной перспективе архитектура, скорее всего, будет сочетать HBM для сверхбыстрых вычислений и HBF для хранения данных высокой плотности, создавая гибридную иерархию памяти, которая может стать ключевым фактором для масштабной коммерциализации искусственного интеллекта.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *