Компания Sirenza произвела первый [[усилитель мощности]] на основе нитрида галия (GaN) с выходной мощностью выше 2 ватт и коэффициентом шума ниже 1 дБ, работающий в диапазоне от 0.2 до 8 ГГц
Компания Sirenza произвела первый усилитель мощности на основе нитрида галия (GaN) с выходной мощностью выше 2 ватт и коэффициентом шума ниже 1 дБ, работающий в диапазоне от 0.2 до 8 ГГц. Данный транзистор Sirenza, выполненный по технологии HEMT, удалось создать в отделе космических технологий корпорации Нортроп-Грумман (Northrop Grumman Corp). Главным достижением этого несомненного прорыва является одновременное обеспечение низких шумов и высоких мощностных показателей. Потенциальными областями применения данного усилителя видятся трансиверы базовых станций сотовой телефонии, приложения WiMAX, а также цифровое кабельное телевидение. Также представители Sirenza подчёркивают полностью монолитное решение усилителя, которое обеспечивает наряду с воспроизводимостью характеристик усилителя в устройстве, возможность расширения применяемых областей.
До настоящего момента согласованные МШУ на основе интегральных СВЧ микросхем были ограничены пределом по мощности 1 мВт или ниже, имея приэтом коэффициент шума выше 1 дБ в диапазонах S и C.
При обеспечении питания 12В и токе 200 мА, микросхема данного усилителя показала коэффициент шума приблизительно 0.5 дБ. При питании 15В коэффициент шума лежал в пределах 0.7-0.9 дБ. Максимальная зафиксированная плотность мощности равна 2.2 Вт/кв.мм.