Samsung выпустит память 3D V-NAND с трехбитовой ячейкой

На мероприятии SSD Global Summit в Сеуле стало известно, что компания Samsung собирается в ближайшем будущем анонсировать память 3D V-NAND с трехбитовой ячейкой.

После выпуска флеш-памяти 3D V-NAND компания Samsung резко оторвалась от других компаний по технологичности производства NAND-чипов. Пока конкуренты занимаются освоением планарных NAND-микросхем, выпускаемых по техпроцессам 15 нм и 16 нм, Samsung увеличала число слоев 3D V-NAND до 32. Поскольку для выпуска «вертикальных» микросхем Samsung использует 45-нм техпроцесс, это позволяет заметно увеличить устойчивость ячеек флеш-памяти к износу. Кстати, до сих пор компания так и не давала ответ на вопрос, можно ли при помощи технологии 3D V-NAND записывать в одну ячейку многоуровневый сигнал по аналогии с NAND MLC или даже TLC, что позволило бы значительно увеличить плотность записи и емкость «вертикальной» памяти. Похоже, что теперь Samsung перестала скрывать эту информацию.

По сообщению ресурса TechReport, в ходе разговора с высокопоставленным представителем компании Samsung на мероприятии SSD Global Summit в Сеуле, стало известно, что компания собирается в ближайшем будущем анонсировать 3D V-NAND с трехбитовой ячейкой. Возможно, имеется в виду второе поколение 3D V-NAND, к выпуску которого компания приступила этой весной и на котором основывается новая серия SSD Samsung 850 Pro.

Поскольку Samsung при производстве 3D V-NAND применяет 45-нм техпроцесс, а вместо двух плавающих затворов новый тип ячейки с ловушкой заряда, очевидно, что устойчивость к износу 3D V-NAND TLC должна быть значительно выше, нежели в случае современных NAND TLC класса 10 нм и 20 нм. Samsung успешно реализует SSD серии 840, основанные на памяти NAND TLC, поэтому никаких препятствий для выпуска SSD на базе 3D V-NAND TLC не должно возникнуть.

Источник: Techreport.com

Оставьте отзывОтмена