Во вторник Samsung Electronics Co. заявила о своих намерениях инвестировать 4 млрд долл. в наращивание полупроводникового производства в Остине, шт. Техас.
В прошлом году Samsung завершила второй этап строительства фабрики в Остине – там, где выпускаются процессоры А4 и А5 для Apple, а также другие кристаллы. Samsung сообщила, что на обновление производства в Остине, шт. Техас, в общей сложности понадобится 13 млрд долл.
 |
На модифицированной линии будут, главным образом, выпускаться 28-нм системы-на-кристалле на 300-мм пластинах для мобильных приложений. Работы по обновлению линии начнутся в этом месяце, а серийное производство на ней – во второй половине следующего года.
В заявлении Samsung указывается, что вложение в 4 млрд долл. – самая крупная иностранная инвестиция в шт. Техас. На прошлой неделе Samsung анонсировала планы по расширению полупроводникового дизайн-центра в Сан-Хосе, шт. Калифорния. Этот проект получит большие налоговые льготы от местных властей.
Источник: EE Times
Читайте также:
Samsung увеличивает отрыв от конкурентов на рынке мобильной памяти DRAM
Samsung построит новую 300-мм фабрику за 2 млрд долл. для производства мобильных чипов по технологиям 20 и 14 нм
Qualcomm и Samsung создали Альянс беспроводного электропитания A4WP
Samsung и Hynix сокращают производство флэш-памяти
Samsung начал выпуск более быстрой флэш-памяти для смартфонов и планшетов
Samsung выделит ЖК-бизнес в отдельную компанию, сфокусируется на OLED