Конференция International Solid-State Circuits Conference 2015, начавшаяся в понедельник, принесла много информации о разработке очередных техпроцессов для выпуска полупроводников.
Компания TSMC, как мы сообщили вчера, твёрдо намерена приступить к массовому выпуску 10-нм FinFET решений в 2017 году. Компания Samsung, как следует из доклада её представителя, также разработала 10-нм техпроцесс с использованием FinFET транзисторов и завершит его введение в строй в конце 2016 или в начале 2017 года.
Также в компании намекнули, что следующий за 10-нм техпроцесс — 7-нм — потребует иного строения транзисторов и, возможно, новых материалов. Пока в компании рассматривают вопрос перехода на так называемые GAA FET транзисторы (gate-all-around FET). В транзисторах GAA FET каналы выполняются в виде круглых нанопроводников, расположенных горизонтально или вертикально. Затвор обтекает такой канал со всех сторон. При этом один транзистор может использовать как два канала, так и четыре. В качестве материала для каналов может быть использован не только кремний, но также арсенид индия и галлия (InGaAs).
 |
Варианты исполнения транзисторов
Стоит напомнить, что вертикальная флэш-память Samsung 3D V-NAND, которую компания промышленно выпускает уже более полутора лет, по строению вертикальных каналов содержит массу базовых элементов, свойственных транзисторам GAA FET. Место для хранения заряда (ячейка) и затвор охватывают каналы кольцом. Так что Samsung на практике уже отрабатывает будущие технологии.
Источник: ZDNet, Ф-Центр