Samsung снижает интенсивность финансирования в производство полупроводниковой памяти


Samsung в 2016 году значительно урежет финансирование, направленное на расширение выпуска компьютерной памяти и флеш-памяти, где является мировым лидером.

Сайт Korea Times со ссылкой на аналитиков компании RBC Capital Markets сообщает, что компания Samsung в 2016 году значительно урежет финансирование, направленное на расширение выпуска компьютерной памяти и флеш-памяти. В обеих сферах Samsung является лидером и, что крайне важно — технологическим лидером, поэтому компания не опасается потерять рынки или их части. Так, с технологическими нормами класса 20 нм сегодня выпускается от 60% до 70% памяти типа DRAM. Производство флеш-памяти 3D NAND также стало сильной стороной Samsung. Остальные компании даже близко не подошли к тем объёмам выпуска многослойной флеш-памяти, на которые Samsung вышла к концу 2015 года.

По мнению специалистов, в конце 2015 года китайская фабрика Samsung ежемесячно выпускала 90-100 тыс. пластин с памятью 3D NAND: 38 тыс. с 48-слойными микросхемами и 60-70 тыс. с 32-слойными. Подобный задел позволит компании Samsung снизить инвестиции в выпуск обоих типов памяти (DRAM и NAND) с прошлогоднего уровня 13 млрд долларов США до 9 млрд долларов в 2016 году. Компании SK Hynix и Toshiba, как отстающие в вопросе производства 3D NAND, инвестиции в данное направление не только не снизят, но даже усилят, хотя цена на флеш-память дальше будет только снижаться, обостряя конкуренцию и снижая отдачу от вложений. Что же, кто раньше встал, того и тапки. Компания Samsung начала выпускать 3D NAND два с половиной года назад, когда никто другой об этом даже не помышлял. Поэтому сегодня она может немного расслабиться.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *