Samsung первой приступила к производству 2-го поколения 10-нм памяти DRAM


Еще в марте 2016 года Samsung первой в индустрии приступила к массовому производству микросхем оперативной памяти 10-нм класса.

Официально компания не приводит точные нормы техпроцесса, но известно, что в первом поколении Samsung использовала 18-нм техпроцесс. Сегодня компания объявила о начале производства второго поколения чипов DRAM 10-нм класса. Из сторонних источников известно, что это, скорее всего, 17-нм техпроцесс. После 20-нм класса шаг снижения масштаба техпроцесса снизился с 2-3 нм до 1 нм. Ожидается, что Samsung ещё два раза снизит технологические нормы: до 16 нм и 15 нм.

Переход с 1-го 10-нм поколения техпроцесса на 2-е для чипов 8 Гбит DDR4 увеличил продуктивность (выход) продукции на 30 %, что выглядит необычно для шага техпроцесса в 1 нм, но в способность Samsung без EUV освоить выпуск 16-нм и, особенно, 15-нм DRAM верится с трудом. Также в компании сообщили, что переход на 2-е поколение 10-нм техпроцесса увеличит производительность транзисторов на 10 % и на 15 % увеличит энергоэффективность. В частном случае 8-Гбит память DDR4 способна работать со скоростью 3600 Мбит/с на каждый контакт шины данных. Кроме DDR4 второе поколение 10-нм техпроцесса поможет компании Samsung выпускать память DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *