Samsung начала выпуск 32-слойной флеш-памяти 3D V-NAND


Компания Samsung Electronics начала серийное производство первой в отрасли объемной флеш-памяти 3D V-NAND, в которой интегрировано по вертикали 32 слоя ячеек. Новый продукт относится ко второму поколению 3D V-NAND.

Напомним: в чипах первого поколения, которые выпускались серийно с августа 2013 г., вертикальная интеграция составляла 24 слоя ячеек. Как отмечает производитель, увеличение числа слоев по вертикали предполагает более высокий уровень технологии проектирования, но при этом обеспечивает значительное повышение эффективности производства, так как при выпуске новой памяти можно применять практически то же самое оборудование, что и при выпуске памяти 3D V-NAND первого поколения.

Компания также приступила к выпуску твердотельных накопителей объемом 128 Гбайт, 256 Гбайт, 512 Гбайт и 1 Тбайт, в которых применяется новая флеш-память. Если накопители на основе флеш-памяти 3D V-NAND первого поколения были предназначены для серверов, новые SSD с памятью второго поколения дадут возможность Samsung охватить верхний сегмент ПК.

По данным Samsung, новые SSD по ресурсу записи примерно в два раза превосходят накопители, в которых применяется планарная флеш-память MLC NAND, и отличаются на 20% меньшим энергопотреблением.

Позже в 2014 г. Samsung собирается выпустить новые модели твердотельных накопителей с использованием флеш-памяти 3D V-NAND второго поколения, которые будут отличаться еще более высокими показателями надежности и объема.

Читайте также:
В Китае запущен новый завод Samsung по выпуску флеш-памяти NAND
В ближайшее время Toshiba начнет выпуск флеш-памяти 15-нм NAND MLC
Samsung приступила к серийному производству памяти на 3D-кристаллах
Toshiba построит фабрику по производству 3D NAND-памяти
Недорогая и плотная 3D-память стала ближе на один шаг
Что внутри 20-нм 3D-флеш-памяти NAND от Intel?
3D-память Micron заинтересовала еще две компании
Samsung и Toshiba снизят темпы производства NAND
Samsung анонсирует 10-нм NAND-память eMMC

Источник: Kitguru.net

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *