Samsung начала массовое производство модулей памяти DDR4


Компания Samsung на днях объявила о начале выпуска в массовом количестве модулей памяти DDR4.

Модули DDR4 компании Samsung в виде планок ECC SODIMM, DDR4 RDIMM и LRDIMM в настоящий момент собираются из 4-Гбит чипов, созданных по техпроцессу 20 нм. В будущем Samsung собирается перейти на использование 8-Гбит чипов, благодаря чему сможет выпускать планки больших объемов.

По своим скоростным характеристикам модули Samsung DDR4 вполне соответствуют первой волне продуктов: они поддерживают обмен информацией со скоростью 2133 Мбит/с и 2400 Мбит/с. Скорость передачи данных впоследствии должна превысить 3000 Мбит/с. Новая продукция Samsung будет востребована во второй половине этого года, когда Intel приступит к продажам процессоров с поддержкой DDR4. Имеются в виду серверные платформы, основанные на Xeon E5-2600 v3, а также настольные с процессорами поколения Haswell-E.

Читайте также:
Samsung начинает серийное производство оперативной памяти DDR4
Samsung приступила к серийному производству памяти на 3D-кристаллах
Micron к 2014 году готовит революцию в технологии традиционной DRAM
Samsung и Toshiba снизят темпы производства NAND
Google и Samsung поделятся друг с другом патентами
Квартальная прибыль Samsung выросла на 3,7%, но темпы роста упали
Samsung объявила о рекордной квартальной прибыли
Micron анонсировала первый модуль DDR4

Источник: Digitimes

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *